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1. (WO2001027999) BONDED WAFER PRODUCING METHOD AND BONDED WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/027999    International Application No.:    PCT/JP2000/006795
Publication Date: 19.04.2001 International Filing Date: 29.09.2000
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKANO, Masatake [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MITANI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOMIZAWA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKANO, Masatake; (JP).
MITANI, Kiyoshi; (JP).
TOMIZAWA, Shinichi; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Priority Data:
11/292130 14.10.1999 JP
Title (EN) BONDED WAFER PRODUCING METHOD AND BONDED WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE TRANCHES COLLEES ET TRANCHE COLLEE
Abstract: front page image
(EN)A method of producing bonded wafers by hydrogen ion exfoliation, comprising the steps of bonding a base wafer and a bond wafer having a fine air bubble layer formed by gas ion implantation, and exfoliating the bonded wafer along the fine air bubble layer serving as a boundary, wherein after exfoliation, the periphery of the thin film formed on the wafer is removed. Preferably, the region extending 1 - 5 mm from the outer peripheral end of the base wafer is removed. In producing bonded wafers by hydrogen ion exfoliation, bonded wafers are produced without such a problem as particles emitting from the peripheral portion of the wafer or cracks developing in SOI layers or the like.
(FR)Un procédé de production de tranches collées par exfoliation d'ions hydrogène comprend les étapes suivantes : on colle une tranche de base et une tranche de liaison comportant une fine couche de bulles d'air formée par implantation d'ions gazeux et on exfolie la tranche collée le long de la fine couche de bulles d'air qui fait office de limite, ceci permettant d'éliminer après l'exfoliation la périphérie du film mince formé sur la tranche. De préférence, la région s'étendant à une distance comprise entre 1 et 5 mm de l'extrémité périphérique extérieure de la tranche de base est éliminée. Dans le procédé de production de tranches collées par exfoliation d'ions hydrogène, des tranches collées sont produites sans entraîner le problème lié à l'émission de particules depuis la partie périphérique de la tranche ou à l'apparition de fissures dans des couches SOI ou autres.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)