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1. (WO2001027988) PROCESSING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/027988    International Application No.:    PCT/JP2000/007082
Publication Date: 19.04.2001 International Filing Date: 12.10.2000
Chapter 2 Demand Filed:    16.04.2001    
IPC:
H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
KOBAYASHI, Yasuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIOKA, Masao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOBAYASHI, Yasuo; (JP).
YOSHIOKA, Masao; (JP)
Agent: SATO, Kazuo; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Building, 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Priority Data:
11/289693 12.10.1999 JP
Title (EN) PROCESSING METHOD
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT
Abstract: front page image
(EN)A processing method which comprises washing an organic material and particles adhered to an article to be processed with SC-1 solution, activating a mixture of N2 gas and H2 gas by a plasma to form an active gas species, introducing NF3 gas downstream from the active gas species to thereby activate the NF3 gas, exposing the surface of the article to be processed to the resultant active gas species of NF3 gas to react the active gas species with a film formed by natural oxidation on the article and form a formed film, and heating the article to a predetermined temperature to thereby vaporize the formed film. The method can be employed for reducing the contact resistance defined in the specification even in a fine hole or a narrow portion, while maintaining a good state after processing.
(FR)L'invention porte sur un procédé de traitement comportant les étapes suivantes: nettoyage d'un matériau organique et des particules adhérant à l'article à traiter à l'aide d'une solution SC-1; activation d'un mélange de N2 et de H2 gazeux par un plasma pour former un gaz activé; introduction de NF3 gazeux en aval du gaz activé pour activer le NF3 gazeux; exposition de la surface de l'article à traiter au NF3 activé résultant pour le faire réagir avec la couche résultant de l'oxydation naturelle de l'article afin de créer un film formé; et chauffage de l'article à une température prédéterminée pour vaporiser le film formé. Le procédé sert à réduire la résistance de contact définie dans la spécification, même dans un petit trou ou une partie étroite, tout en conservant un bon état après traitement.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)