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1. (WO2001027979) REFERENCE WAFER FOR CONTROLLING ACCURACY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ALIGNER, AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/027979    International Application No.:    PCT/JP2000/007158
Publication Date: 19.04.2001 International Filing Date: 16.10.2000
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Applicants: NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIRAISHI, Naomasa [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIRAISHI, Naomasa; (JP)
Agent: TATEISHI, Atsuji; Paseo Building, 5th Floor, 4-20, Haramachida 5-chome, Machida-shi, Tokyo 194-0013 (JP)
Priority Data:
11/293200 15.10.1999 JP
Title (EN) REFERENCE WAFER FOR CONTROLLING ACCURACY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ALIGNER, AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE
(FR) TRANCHE DE REFERENCE POUR CONTROLE DE LA PRECISION, DISPOSITIF D'ALIGNEMENT ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A reference wafer (W1) used for accuracy control of an aligner comprising a substrate (51) having a surface on which a reference pattern is formed, wherein the reference pattern includes a first region (54) having a first amplitude reflectance and a second region (53) having a second amplitude reflectance different from the first amplitude reflectance and the pattern is so planarized that the difference of the surface level between the first and second regions is about 50 nm or less. When it is required to coat the surface of the reference wafer (W1) with an extremely thin film of photoresist (e.g. 0.3 $g(m)m thick), uneven coating due to the surface level difference between the first region (54) and the second region (53) is prevented, and good resist coating characteristics can be achieved. High-accuracy, high-reliable accuracy control is ensured by controlling the accuracy of an aligner using a reference wafer (W1) and thereby controlling the alignment accuracy of the aligner.
(FR)Cette invention concerne une tranche de référence (W1) destinée à contrôler la précision d'un dispositif d'alignement et comprenant un substrat (51) dont la surface porte un motif de référence. Ce motif de référence comprend une première région (54) présentant un premier facteur de réflexion d'amplitude, et une seconde région (53) présentant un second facteur de réflexion d'amplitude différent du premier facteur de réflexion d'amplitude. Le motif est planarisé de telle sorte que l'écart de niveau entre les surfaces des première et seconde régions est de quelque 50 nm, voire moins. Il est possible d'éviter la formation d'un revêtement irrégulier du à des différences de niveau superficiel entre la première région (54) et la seconde (53) et de parvenir à de bonnes caractéristiques d'étalement de la photorésine, même lorsque la couche appliquée sur la surface de la tranche de référence (W1) est extrêmement mince (de l'ordre de 0,3 $g(m)m). En contrôlant la précision du dispositif d'alignement au moyen de la tranche de référence (W1), on parvient à un degré de précision et de fiabilité élevé.
Designated States: AE, AL, AU, BA, BB, BG, BR, CA, CN, CR, CU, CZ, DM, DZ, EE, GD, GE, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KP, KR, LC, LK, LR, LT, LV, MA, MG, MK, MN, MX, NO, NZ, PL, RO, SG, SI, SK, TR, TT, UA, US, UZ, VN, YU, ZA.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)