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1. (WO2001027968) DETERMINING BEAM ALIGNMENT IN ION IMPLANTATION USING RUTHERFORD BACK SCATTERING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/027968    International Application No.:    PCT/GB2000/003962
Publication Date: 19.04.2001 International Filing Date: 13.10.2000
Chapter 2 Demand Filed:    10.05.2001    
IPC:
H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/304 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054-3299 (US).
CROSS, Rupert, Edward, Blount [GB/GB]; (GB) (LR only)
Inventors: RYDING, Geoffrey; (US).
SMICK, Theodore, H.; (US).
RUFFELL, John; (US).
FARLEY, Marvin; (US).
ROSE, Peter; (US)
Agent: BOULT WADE TENNANT; Verulam Gardens, 70 Gray's Inn Road, London WC1X 8BT (GB)
Priority Data:
60/159,116 13.10.1999 US
60/203,579 11.05.2000 US
09/686,092 12.10.2000 US
Title (EN) DETERMINING BEAM ALIGNMENT IN ION IMPLANTATION USING RUTHERFORD BACK SCATTERING
(FR) DETERMINATION DE L'ALIGNEMENT DE FAISCEAUX EN IMPLANTATION IONIQUE METTANT EN OEUVRE LA RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD
Abstract: front page image
(EN)A back scattered ion receiver is mounted on the process chamber of an ion implanter to receive beam ions back scattered from a wafer mounted on the wafer holder in the chamber. Minima in the intensity of back scattered ions as the wafer on the holder is moved relative to the beam direction, can be used to obtain an accurate calibration of the true beam direction. Beam direction error can then be compensated for when operating holder tilt and twist mechanisms so as to bring a process wafer accurately into the required orientation relative to the true beam. If the crystallographic alignment and orientation of process wafers has been precharacterised, this data can be used to control the wafer holder to align process wafers crystallographically to the process beam.
(FR)La présente invention concerne un procédé dans lequel un récepteur d'ions rétrodiffusés est monté dans une enceinte de traitement d'un implanteur ionique afin de recevoir des faisceaux d'ions rétrodiffusés à partir d'une plaquette montée dans une porte-plaquettes dans l'enceinte. On peut utiliser des niveaux minimum dans l'intensité des ions rétrodiffusés lors du mouvement relatif de la plaquette dans le porte-plaquettes par rapport à l'orientation des faisceaux afin d'obtenir un calibrage précis de l'orientation réelle des faisceaux. On peut alors compenser l'erreur d'orientation des faisceaux lors du contrôle des mécanismes de basculement et de roulis de la plaquette afin d'amener une plaquette de traitement avec précision dans l'orientation requise par rapport à l'orientation réelle des faisceaux. Si l'alignement et l'axe cristallographiques des plaquettes de traitement ont été préalablement caractérisés, on peut utiliser ces données pour contrôler le porte plaquettes afin d'aligner les plaquettes de traitement en axe cristallographique sur le faisceau de traitement.
Designated States: JP, KR, LR, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)