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1. (WO2001027571) SEMICONDUCTOR COMPONENT, ELECTRONIC COMPONENT, SENSOR SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/027571    International Application No.:    PCT/DE2000/003727
Publication Date: 19.04.2001 International Filing Date: 13.10.2000
Chapter 2 Demand Filed:    15.05.2001    
IPC:
H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/108 (2006.01)
Applicants: TWLUX HALBLEITERTECHNOLOGIEN BERLIN AG [DE/DE]; Ostendstrasse 25, 12459 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
WEISS, Tilman [DE/DE]; (DE) (For US Only).
THIEDIG, Christoph [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LANGER, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HILT, Oliver [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KÖRNER, Hans, Georg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STAHN, Sebastian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SWIENTEK, Stephan [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: WEISS, Tilman; (DE).
THIEDIG, Christoph; (DE).
LANGER, Stefan; (DE).
HILT, Oliver; (DE).
KÖRNER, Hans, Georg; (DE).
STAHN, Sebastian; (DE).
SWIENTEK, Stephan; (DE)
Agent: GROSS, Felix; Maikowski & Ninnemann, Kurfürstendamm 54 - 55, 10707 Berlin (DE)
Priority Data:
199 51 207.8 15.10.1999 DE
Title (DE) HALBLEITERBAUELEMENT, ELEKTRONISCHES BAUTEIL, SENSORSYSTEM UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT, ELECTRONIC COMPONENT, SENSOR SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR, COMPOSANT ELECTRONIQUE, SYSTEME DE DETECTION ET PROCEDE POUR LA PRODUCTION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)Diese Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement zur Detektion elektromagnetischer Strahlung mit einem Kontakt zwischen einem Metall und einem Halbleiter. Dabei weist der Halbleiter mindestens einen Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiter als optisches Absorbermaterial auf oder ist ganz aus ihm gebildet. Dadurch wird ermöglicht, ein Bauelement zu schaffen, das in kostengünstiger Weise in besonders definierter Weise auf elektromagnetische Strahlungen reagiert. Dieses Halbleiterbauelement kann in einem elektronischen Bauteil und einem Sensorsystem verwendet werden. Ein erfindungsgemässes Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements bringt ein Substrat mit einer Lösung in Kontakt, in der ein Precursor eines Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiters gelöst und/oder suspendiert ist.
(EN)The invention relates to a semiconductor component for detecting electromagnetic radiation using a contact between a metal and a semiconductor. The semiconductor has at least one metal-chalcogenide compound semiconductor as an optical absorbing material or is configured completely from said semiconductor. This allows a cost-effective component to be produced which reacts to electromagnetic radiation in a specifically defined manner. Said semiconductor component can be used in an electronic component and a sensor system. The invention also relates to a method for producing a semiconductor component by bringing a substrate into contact with a solution, in which a precursor of a metal-chalcogenide compound semiconductor is dissolved and/or suspended.
(FR)L'invention concerne un composant semi-conducteur servant à détecter un rayonnement électromagnétique et comportant un contact entre un métal et un semi-conducteur. Selon l'invention, le semi-conducteur comprend au moins un semi-conducteur composé à base de chalcogénure métallique comme substance absorbante optique ou est intégralement constitué de ce semi-conducteur. On obtient ainsi un composant de faible coût qui réagit de manière particulièrement définie à des rayonnements électromagnétiques et que l'on peut utiliser dans un composant électronique et un système de détection. L'invention concerne également un procédé pour la production de ce composant semi-conducteur, dans lequel on met un substrat en contact avec une solution dans laquelle un précurseur d'un semi-conducteur composé à base de chalcogénure métallique est dissous ou en suspension.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)