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1. (WO2001027359) CRYSTAL GROWING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/027359    International Application No.:    PCT/JP2000/004456
Publication Date: 19.04.2001 International Filing Date: 05.07.2000
IPC:
C30B 11/00 (2006.01)
Applicants: NIKKO MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8407 (JP) (For All Designated States Except US).
HIROCHIKU CO., LTD. [JP/JP]; 10-11, Seimon-dori 4-chome, Hirohata-ku, Himeji-shi, Hyogo 671-1116 (JP) (For All Designated States Except US).
MAEDA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIRANO, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMOTO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HICHIWA, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUBOTA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MAEDA, Hiroshi; (JP).
HIRANO, Ryuichi; (JP).
YAMAMOTO, Tetsuya; (JP).
HICHIWA, Akira; (JP).
KUBOTA, Yoshiaki; (JP)
Agent: ARAFUNE, Hiroshi; 5F, Nikko Kagurazaka Building, 18, Iwato-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0832 (JP)
Priority Data:
11/293953 15.10.1999 JP
Title (EN) CRYSTAL GROWING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL
(FR) DISPOSITIF DE CRISTALLOGENESE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL
Abstract: front page image
(EN)A crystal growing device having a heating furnace capable of uniformly controlling a temperature distribution in the same horizontal plane and method of manufacturing a single crystal using the crystal growing device, the crystal growing device comprising a cylindrical heating furnace (110) formed by stacking a plurality of heaters (101, 102, 103, 104) axially (Z) in multiple stages, wherein each heater is disposed so that the terminal parts of the heaters adjacent to each other are positioned separately from each other without being overlapped at the same position as viewed from the axial direction of the heating furnace; specifically, when the number of heaters is N (n: positive integer of 3 or more), the heaters (101, 102, 103, 104) are disposed so that the terminal parts (101a, 102a, 103a, 104a) of the heaters are positioned at the apexes of a regular n-side polygon (n: integer meeting the requirement of 3 $m(F) n $m(F) N) as viewed from the axial direction Z of the heating furnace.
(FR)L'invention concerne un dispositif de cristallogénèse pourvu d'un four de chauffage permettant de réguler de façon uniforme la répartition des températures dans le même plan horizontal, et un procédé de fabrication d'un monocristal utilisant ledit dispositif de cristallogénèse. Ledit dispositif de cristallogénèse comprend un four (110) de chauffage cylindrique constitué d'un empilement axial (Z) d'une pluralité plusieurs unités de chauffage (101, 102, 103, 104) sur plusieurs étages, chaque unité étant disposée de manière que, lorsqu'on regarde le four de chauffage dans le sens axial, les parties terminales des unités de chauffage adjacentes soient positionnées séparément l'une de l'autre, sans se chevaucher au niveau de la même position. Plus précisément, lorsque le nombre d'unités de chauffage est N (N étant un entier positif supérieur ou égal à 3), les unités de chauffage (101, 102, 103, 104) sont disposées de manière que leurs parties terminales (101a, 102a, 103a, 104a) sont positionnées au niveau des sommets d'un polygone régulier à n côtés (n étant un entier satisfaisant à l'équation 3 $m(F) n $m(G) N), lorsqu'on regarde le four de chauffage dans le sens axial Z.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)