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1. (WO2001026133) HIGH TRANSMISSION, LOW ENERGY BEAMLINE APPARATUS FOR ION IMPLANTER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/026133    International Application No.:    PCT/US2000/025555
Publication Date: 12.04.2001 International Filing Date: 18.09.2000
Chapter 2 Demand Filed:    12.04.2001    
IPC:
H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Inventors: RENAU, Anthony; (US)
Agent: MCCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C., 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210 (US)
Priority Data:
09/412,265 05.10.1999 US
Title (EN) HIGH TRANSMISSION, LOW ENERGY BEAMLINE APPARATUS FOR ION IMPLANTER
(FR) ARCHITECTURE DE LIGNE DE FAISCEAU A HAUTE TRANSMISSION ET FAIBLE ENERGIE POUR IMPLANTEUR D'IONS
Abstract: front page image
(EN)An ion beam apparatus includes an ion source, a first magnet assembly, a structure defining a resolving aperture and a second magnet assembly. The ion source has an elongated extraction aperture for generating a ribbon ion beam. The first magnet assembly provides first magnetic fields for deflecting the ribbon ion beam perpendicular to the long dimension of the ribbon ion beam cross section, wherein different ion species in the ribbon ion beam are separated. The resolving aperture selects an ion species from the separated ion beam. The second magnet assembly provides second magnetic fields for deflecting ions of the selected ion species in the ribbon ion beam parallel to the long dimension of the ribbon ion beam cross section to produce desired ion trajectories. The width of the ribbon ion beam increases through most of the beamline. As a result, low energy performance is enhanced.
(FR)L'invention concerne un appareil à faisceau d'ions comprenant une source d'ions, un premier ensemble magnétique, une structure définissant une ouverture de résolution et un second ensemble magnétique. La source d'ions comprend une ouverture d'extraction allongée destinée à générer un faisceau d'ions à ruban. Le premier ensemble magnétique génère des champs magnétiques destinés à dévier le faisceau d'ions à ruban perpendiculairement à la longueur de la section transversale du faisceau d'ions à ruban. Différentes espèces d'ions dans le faisceau d'ions à ruban sont ainsi séparées. L'ouverture de résolution sélectionne une espèce d'ion du faisceau d'ions séparés. Le second ensemble magnétique génère des seconds champs magnétiques destinés à dévier les ions de l'espèce d'ion sélectionnée dans le faisceau d'ions à ruban parallèlement à la longueur de la partie transversale du faisceau d'ions à ruban afin d'obtenir des trajectoires d'ions désirées. La largeur du faisceau d'ions à ruban augmente dans presque toute la ligne du faisceau. La performance à faible énergie est ainsi améliorée.
Designated States: CN, IL, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)