WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001025855) PHOTOMASK INCLUDING HARDENED PHOTORESIST AND A CONDUCTIVE LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/025855    International Application No.:    PCT/US2000/027499
Publication Date: 12.04.2001 International Filing Date: 04.10.2000
IPC:
G03F 1/00 (2012.01), G03F 7/40 (2006.01)
Applicants: VOISIN, Ronald, D. [US/US]; (US)
Inventors: VOISIN, Ronald, D.; (US)
Agent: MILLERS, David, T.; Skjerven, Morrill, MacPherson, Franklin & Friel LLP, 25 Metro Drive, Suite 700, San Jose, CA 95110 (US)
Priority Data:
09/411,027 04.10.1999 US
Title (EN) PHOTOMASK INCLUDING HARDENED PHOTORESIST AND A CONDUCTIVE LAYER
(FR) MASQUE DE PHOTOGRAVURE A PHOTORESIST DURCI ET COUCHE CONDUCTRICE
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating a photomask processes photoresist overlying a conductive pattern into a conformal and hardened material that is not stripped off but rather becomes an optical and structural component of the photomask. As such, the photoresist optically defines the dimension of critical features. This eliminates the dimensional uncertainty that arises from etching of the underlying conductive material. Further, a major source of defects in known photomasks is eliminated because the magnitude of the etch undercut no longer needs to be precariously minimized. The photoresist's thickness and optical transmission, where the photoresist extends into openings in the conductive pattern can be selected to allow a phase shift of transmitted light so that the photomask is a rim shifter phasemask. The conductive layer facilitates patterning of the photoresist using electron-beam pattern generation equipment and can be thinner than chrome layers in conventional photomasks.
(FR)Un procédé de fabrication d'un masque de photogravure traite le photorésist recouvrant un réseau de conducteurs en un matériau conforme et durci lequel n'est pas éliminé mais devient plutôt un composant optique et structural du masque de photogravure. En tant que tel, le photorésist définit optiquement la dimension de caractéristiques critiques. Ceci élimine l'incertitude dimensionnelle naissant de la gravure du matériau conducteur sous-jacent. De plus, une surface principale de défauts dans des masques de photogravure connus est éliminée du fait que le degré d'attaque latérale par gravure ne doit plus être réduit au minimum précairement. L'épaisseur du photorésist et la transmission optique, lorsque le photorésist s'étend jusque dans des ouvertures situées dans le réseau de conducteurs, peuvent être sélectionnées pour permettre un déphasage de la lumière transmise afin que le masque de photogravure soit un masque à déphasage en bordure. La couche conductrice facilite la formation de motifs du photorésist à l'aide d'un matériel de production d'un motif à faisceaux électroniques et peut être plus mince que les couches de chrome utilisées dans les masques de photogravure classiques.
Designated States: JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)