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1. (WO2001025852) TRIMMING MASK WITH SEMITRANSPARENT PHASE-SHIFTING REGIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/025852    International Application No.:    PCT/EP2000/009811
Publication Date: 12.04.2001 International Filing Date: 06.10.2000
Chapter 2 Demand Filed:    07.05.2001    
IPC:
G03F 1/00 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE)
Inventors: PFORR, Reiner; (DE).
FRIEDRICH, Christoph; (DE).
ERGENZINGER, Klaus; (DE).
GANS, Fritz; (DE).
GRIESINGER, Uwe; (DE).
MAURER, Wilhelm; (DE).
KNOBLOCH, Jürgen; (DE)
Agent: EPPING HERMANN & FISCHER GBR; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Priority Data:
60/158,193 07.10.1999 US
Title (EN) TRIMMING MASK WITH SEMITRANSPARENT PHASE-SHIFTING REGIONS
(FR) MASQUE DE ROGNAGE DOTE DE ZONES A DEPLACEMENT DE PHASES SEMI-TRANSPARENTES
Abstract: front page image
(EN)For lithographically producing the smallest structures at less than the exposure wavelengths in semiconductor fabrication, a double exposure is carried out using a thick phase mask and a trimming mask, the trimming mask further structures the phase-contrast lines produced by the phase mask. Besides transparent or opaque regions, the trimming mask also has phase-shifting regions. These surround transparent regions of the trimming mask through which the phase-contrast lines produced by the first mask are locally re-exposed, that is to say interrupted. The intensity profile of successive line sections is especially rich in contrast through the addition of the phase-shifting partially trasparent regions on the second mask; the distances between the line sections can be reduced. The trimming mask, otherwise used only for larger structures, is therefor suitable for the configuration of the finest dimensionally critical structures.
(FR)En vue de produire dans le domaine lithographique des structures plus petites que celles des longueurs d'ondes d'exposition dans la fabrication de semi-conducteurs, on réalise une double exposition au moyen d'un masque de phase épais et d'un masque de rognage, ce dernier structurant les lignes de contraste de phases produites par le masque de phase. En dehors des zones opaques ou transparentes, le masque de rognage présente également des zones à déplacement de phases. Ces dernières entourent des zones transparentes du masque de rognage à travers lequel les lignes de contrastes de phases produites par le premier masque sont localement ré-exposées, c'est à dire interrompues. Le profil d'intensité des sections de lignes successives est notamment riche en contraste par ajout sur le second masque des zones partiellement transparentes à déplacement de phase, les distances entre les sections de lignes pouvant être réduites. Le masque de rognage, par ailleurs utilisé uniquement pour des structures plus larges, est donc approprié à l'aspect des plus fines structures cruciales sur le plan dimensionnel.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)