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1. (WO2001024279) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/024279    International Application No.:    PCT/NL2000/000613
Publication Date: 05.04.2001 International Filing Date: 01.09.2000
Chapter 2 Demand Filed:    30.03.2001    
IPC:
H01L 21/225 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND [NL/NL]; Westerduinweg 3, NL-1755 LE Petten (NL) (For All Designated States Except US).
BULTMAN, Jan, Hendrik [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: BULTMAN, Jan, Hendrik; (NL)
Agent: JORRITSMA, Ruurd; Nederlandsch Octrooibureau, Scheveningseweg 82, P.O. Box 29720, NL-2502 LS The Hague (NL)
Priority Data:
1012961 02.09.1999 NL
Title (EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for making a semiconductor device having a pattern of highly doped regions (6, 6') located some distance apart in a semiconductor substrate (1) and regions (7, 7', 7') of low doping located between the highly doped regions (6, 6'). According to the invention a diffusion barrier material (5, 5', 5') is applied to the semiconductor substrate at the location of the regions of low doping by means of imprinting with the barrier material in the pattern of the regions of low doping. The doping material is applied after or before imprinting with the barrier material so that the highly doped regions are formed essentially between the barrier material in the substrate. With the method according to the invention the doping concentrations in the regions of low doping and in the highly doped regions can be freely adjusted independently of one another so that a relatively low surface resistance can be obtained for the highly doped regions to give good conducting contact with the metalisation and a high surface resistance can be achieved in the regions of low doping.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur possédant, dans un substrat semi-conducteur (1), un motif de régions fortement dopées (6, 6'), situées à une certaine distance les unes des autres, et de régions faiblement dopées (7, 7', 7'), situées entre les régions fortement dopées (6, 6'). Selon l'invention, on applique un matériau formant barrière de diffusion (5, 5', 5') sur le substrat semi-conducteur, au niveau des régions faiblement dopées, par impression dudit matériau dans le motif des régions faiblement dopées, et on applique le matériau de dopage avant ou après l'impression au moyen du matériau formant barrière, de façon que les régions fortement dopées soient essentiellement formées, dans le substrat, entre les régions du matériau formant barrière. Grâce au procédé de l'invention, on peut régler librement et de manière indépendante les concentrations de dopage, dans les régions faiblement et fortement dopées, de façon à obtenir, d'une part, une résistance de surface relativement faible pour les régions fortement dopées, afin d'obtenir un bon contact conducteur avec la métallisation et, d'autre part, une résistance de surface élevée dans les régions faiblement dopées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Dutch; Flemish (NL)