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1. (WO2001024258) METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED SEMICONDUCTOR READ-ONLY MEMORIES (ROMS)
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/024258    International Application No.:    PCT/DE2000/003288
Publication Date: 05.04.2001 International Filing Date: 20.09.2000
Chapter 2 Demand Filed:    27.02.2001    
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/112 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
WILLER, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HOFMANN, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: WILLER, Josef; (DE).
HOFMANN, Franz; (DE)
Agent: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Postfach 22 14 43, 80504 München (DE)
Priority Data:
199 46 434.0 28.09.1999 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INTEGRIERTEN HALBLEITER-FESTWERTSPEICHERN - ROM
(EN) METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED SEMICONDUCTOR READ-ONLY MEMORIES (ROMS)
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UNE MEMOIRE MORTE (ROM) A SEMICONDUCTEURS INTEGRES
Abstract: front page image
(DE)Verfahren zur Herstellung von integrierten Halbleiter-Festwertspeichern ROM -, bei dem Source- und Drainzonen von MOS-Speichertransistoren bildende dotierte Bitleitungen (13) und metallische Leiterbahnen (17) für diese zu Gateelektrodenstrukturen (14) und die Gateelektrodenstrukturen (14) zu metallischen Wortleitungen (20, 21) jeweils selbstjustiert hergestellt werden.
(EN)The invention relates to a method for producing integrated semiconductor read-only memories. According to said method, doped bit lines (13) that form the source and drain regions of MOS-storage transistors and metallic strip conductors (17) for the same are produced in such a way that they are self-adjusted in relation to the gate electrode structures (14), the gate electrode structures (14) being produced in such a way that they are self-adjusted in relation to metallic word lines (20, 21).
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire une mémoire morte (ROM) à semiconducteurs intégrés. Ledit procédé consiste à produire des lignes de bit (13) dopées, formant des zones source et drain de transistors MOS de mémoire, et des tracés conducteurs métalliques (17) pour ces dernières qui sont auto-alignés par rapport aux structures d'électrodes à grille (14), et à produire des structures d'électrodes à grille qui sont auto-alignées par rapport à des lignes de mots métalliques (20, 21).
Designated States: BR, CN, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)