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1. (WO2001024249) METHOD FOR PREVENTING DIFFUSION OF BORON IN SILICON BY ION IMPLANTATION OF CARBON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/024249    International Application No.:    PCT/FR2000/002686
Publication Date: 05.04.2001 International Filing Date: 28.09.2000
Chapter 2 Demand Filed:    27.04.2001    
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01)
Applicants: FRANCE TELECOM [FR/FR]; 6, place d'Alleray, F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération, F-75015 Paris (FR) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, LU, MC, NL, PT, SE only).
REGOLINI, Jorge, Luis [FR/FR]; (FR) (For US Only).
RIBOT, Pascal [FR/FR]; (FR) (For US Only).
MORIN, Christine [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: REGOLINI, Jorge, Luis; (FR).
RIBOT, Pascal; (FR).
MORIN, Christine; (FR)
Agent: CASALONGA, Axel; Bureau D.A. Casalonga-Josse, Morassistrasse 8, D-80469 Munich (DE)
Priority Data:
99/12115 29.09.1999 FR
Title (EN) METHOD FOR PREVENTING DIFFUSION OF BORON IN SILICON BY ION IMPLANTATION OF CARBON
(FR) PROCEDE POUR EMPÊCHER LA DIFFUSION DE BORE DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE DE CARBONE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for preventing the diffusion of boron present as a dopant in a predetermined region of a semiconductor component into at least an region adjacent to the predetermined region while making the component. The method consists in introducing by ion implantation in the predetermined region a dose of carbon ranging between 0.1 and 1 atom %. For a heterojunction bipolar transistor, said process is carried out after the base is formed.
(FR)L'invention concerne un procédé pour empêcher la diffusion de bore présent comme dopant dans une région prédéterminée d'un composant semi-conducteur dans au moins une région adjacente à la région prédéterminée au cours de la fabrication du composant. Pour ce faire, on introduit par implantation ionique dans la région prédéterminée une dose de carbone comprise entre 0,1 et 1 % atomique. Pour un transistor bipolaire à hétérojonction, on réalise cette opération après formation de la base.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)