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1. (WO2001024237) INTEGRATED CIRCUITS WITH BARRIER LAYERS AND METHODS OF FABRICATING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/024237    International Application No.:    PCT/US2000/024993
Publication Date: 05.04.2001 International Filing Date: 12.09.2000
Chapter 2 Demand Filed:    18.04.2001    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01)
Applicants: SYMETRIX CORPORATION [US/US]; 5055 Mark Dabling Boulevard, Colorado Springs, CO 80918 (US)
Inventors: JOSHI, Vikram; (US).
SOLAYAPPAN, Narayan; (US).
MCMILLAN, Larry, D.; (US).
PAZ DE ARAUJO, Carlos, A.; (US)
Agent: FOREST, Carl, A.; Patton Boggs LLP, P.O. Box 270930, Louisville, CO 80027 (US)
Priority Data:
09/407,209 28.09.1999 US
Title (EN) INTEGRATED CIRCUITS WITH BARRIER LAYERS AND METHODS OF FABRICATING SAME
(FR) CIRCUITS INTEGRES A COUCHES BARRIERE ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A hydrogen diffusion barrier (132, 124, 332, 324, 432, 424, 532, 524, 720, 710, 750, 770, 912) in an integrated circuit (100, 200, 300, 400, 500, 700, 740, 900) is located to inhibit diffusion of hydrogen towards a dielectric thin film (128, 328, 428, 528, 711, 764, 908) of metal oxide material. The hydrogen diffusion barrier comprises at least one of the following oxides: tantalum pentoxide; tungsten oxide; aluminum oxide; titanium oxide. The dielectric thin film is ferroelectric or high-dielectric, nonferroelectric material. Preferably, the metal oxide comprises ferroelectric layered superlattice material. The hydrogen diffusion barrier layer may be a single continuous layer (132)completely overlying a common plate electrode and the dielectric thin film, but leaving other elements in the circuit exposed to hydrogen. The dielectric thin film may be displaced laterally from transistor elements so that certain portions of the circuit remain exposed to hydrogen. A metal oxide barrier layer (124, 324, 424, 524, 710) under the dielectric film prevents diffusion of elements in the dielectric layer to the integrated circuit substrate and also acts as a hydrogen diffusion barrier layer. The hydrogen diffusion barrier layers are formed by applying a metal organic precursor solution to a substrate (102, 104, 116, 124, 126, 128 and 130) and then heating it.
(FR)Une couche barrière à la diffusion d'hydrogène (132, 124, 332, 324, 432, 424, 532, 524, 720, 710, 750, 770, 912) pour circuit intégré (100, 200, 300, 400, 500, 700, 740,900) est placée de manière à empêcher la diffusion d'hydrogène vers une couche mince de diélectrique (128, 328, 428, 528, 711, 764, 908) de matériau d'oxyde métallique. La couche barrière à la diffusion d'hydrogène comprend au moins l'un des oxydes suivants: pentoxyde de tantale, oxyde de tungstène, oxyde d'aluminium, oxyde de titane. La couche mince de diélectrique est un matériau ferroélectrique ou non ferroélectrique, à constante diélectrique élevée. L'oxyde métallique comprend, de préférence, un matériau à superstructure cristalline ferroélectrique en couches. La couche barrière à la diffusion d'hydrogène peut être une seule couche continue (132) qui recouvre complètement une électrode à plaque commune et la couche mince de diélectrique, mais qui laisse d'autres éléments exposés à l'hydrogène. La couche mince de diélectrique peut être déplacée latéralement à partir d'éléments de transistor, de sorte que certaines parties du circuit restent exposées à l'hydrogène. Une couche barrière d'oxyde métallique (124, 324, 424, 524, 710) placée sous la couche mince de diélectrique empêche la diffusion d'éléments de la couche de diélectrique vers le substrat du circuit intégré, et agit comme une couche barrière à la diffusion d'hydrogène. Les couches barrière à la diffusion d'hydrogène sont formées par application d'une solution de précurseur organique métallique sur le substrat (102, 104, 116, 124, 126, 128, 130), puis chauffent ledit substrat.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)