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1. (WO2001024234) A METHOD FOR CLEANING AND TREATING A SEMICONDUCTOR WAFER AFTER CHEMICAL MECHANICAL POLISHING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/024234    International Application No.:    PCT/US2000/027139
Publication Date: 05.04.2001 International Filing Date: 28.09.2000
Chapter 2 Demand Filed:    23.04.2001    
IPC:
H01L 21/321 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US)
Inventors: MIKHAYLICH, Katrina, A.; (US).
RAVKIN, Mike; (US)
Agent: PENILLA, Albert, S.; Martine Penilla & Kim LLP, Suite 170, 710 Lakeway Drive, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Priority Data:
09/408,281 29.09.1999 US
Title (EN) A METHOD FOR CLEANING AND TREATING A SEMICONDUCTOR WAFER AFTER CHEMICAL MECHANICAL POLISHING
(FR) PROCEDE DE NETTOYAGE ET DE TRAITEMENT DE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR APRES POLISSAGE MECANIQUE ET CHIMIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method is provided for cleaning a surface of a semiconductor wafer after a CMP operation. In one example, an improved cleaning chemical (ICC) is applied to the surface of the wafer. The ICC is configured to transform a copper film on the surface of the wafer into a water soluble form. The wafer surface is scrubbed. The wafer is then rinsed with a liquid. The scrubbing and the rinsing are configured to remove a controlled amount of the water soluble copper from the surface of the wafer and the brush, wherein the applying, the scrubbing, and the rinsing are performed in a brush box.
(FR)L'invention concerne un procédé de nettoyage d'une surface d'une plaquette de semi-conducteur après une opération de polissage mécanique et chimique, PMC. Dans un exemple, un produit chimique de nettoyage amélioré est appliqué à la surface de la plaquette. Ledit produit est conçu pour transformer un film de cuivre sur la surface de la plaquette en une forme soluble dans l'eau. La surface de la plaquette est brossée. On rince ensuite la plaquette avec un liquide. Le brossage et le rinçage sont destinés à éliminer, de la surface de la plaquette et de la brosse, une quantité limitée de cuivre soluble dans l'eau. L'application, le brossage et le rinçage sont réalisés dans une enceinte de brossage.
Designated States: CN, IL, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)