WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001023898) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INSPECTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/023898    International Application No.:    PCT/JP2000/006563
Publication Date: 05.04.2001 International Filing Date: 25.09.2000
Chapter 2 Demand Filed:    30.10.2000    
IPC:
G01R 1/067 (2006.01), G01R 1/073 (2006.01), G01R 3/00 (2006.01), H01L 23/13 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-8010 (JP)
Inventors: KOHNO, Ryuji; (JP).
MIURA, Hideo; (JP).
ENDO, Yoshishige; (JP).
KANAMARU, Masatoshi; (JP).
HOSOGANE, Atsushi; (JP).
AOKI, Hideyuki; (JP).
BAN, Naoto; (JP)
Agent: SAKUTA, Yasuo; Hitachi Ltd., 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8220 (JP)
Priority Data:
11/271805 27.09.1999 JP
Title (EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INSPECTION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'INSPECTION SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)[Problems to be Solved] By a probe of a conventional semiconductor inspection device, it is difficult due to accuracy of a probe or the like to inspect all of semiconductor devices at a time with a plurality of probes. [Solution] A method of manufacturing a semiconductor device comprising a step of forming a coating film on the surface of a silicon substrate and forming a plurality of pyramidal or conical probes by etching after patterning by photolithography (FR), a step of removing the coating film, forming another coating film on the surface of the silicon substrate again, and forming a beam or diaphragm for every probe by etching after patterning by FR, a step of removing the coating film, forming another coating film on the surface of the silicon substrate again, and forming through holes by etching after patterning by FR, and a step of removing the coating film, forming an insulating coating film on the surface of the silicon substrate, forming a metallic coating film on the surface of the insulating coating film, and forming interconnection by etching after patterning by FR.
(FR)(Problèmes à résoudre) Il est difficile, à l'aide d'une sonde d'un dispositif classique d'inspection semi-conducteurs, d'inspecter, du fait de l'imprécision de la sonde ou analogue, tous les dispositifs semi-conducteurs à la fois avec plusieurs sondes. (Solution) Cette invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteurs consistant à déposer un film d'enduction à la surface d'un substrat au silicium et à constituer plusieurs sondes coniques ou pyramidales par attaque après configuration de motif par photolithographie (FR), à retirer ce film d'enduction, à déposer un autre film d'enduction à la surface du substrat au silicium, puis à constituer un pont ou une membrane pour chaque sonde par attaque après configuration de motif par photolithographie (FR), à retirer ce film d'enduction, puis à déposer un autre film d'enduction à la surface du substrat au silicium et à ménager des trous débouchants par attaque après configuration de motif par photolithographie (FR), à retirer ce film d'enduction et à déposer un film isolant à la surface du substrat au silicium, à déposer un film d'enduction métallique sur le film d'enduction et à établir une interconnexion par attaque après configuration de motif par photolithographie (FR).
Designated States: CN, KR.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)