WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Options
Query Language
Stem
Sort by:
List Length
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2001006565) MONOLITHIC BYPASS-DIODE AND SOLAR-CELL STRING ASSEMBLY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/006565 International Application No.: PCT/US2000/007403
Publication Date: 25.01.2001 International Filing Date: 20.03.2000
IPC:
H01L 27/142 (2006.01) ,H01L 31/05 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
142
Energy conversion devices
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04
adapted as conversion devices
042
including a panel or array of photoelectric cells, e.g. solar cells
05
characterised by special interconnection means
Applicants: HUGHES ELECTRONICS CORPORATION[US/US]; 200 North Sepulveda Boulevard El Segundo, CA 90245, US
Inventors: BOUTROS, Karim, S.; US
KRUT, Dmitri, D.; US
KARAM, Nasser, H.; US
Agent: DURAISWAMY, Vijayalakshmi, D. ; Hughes Electronics Corporation Bldg. 001, MS A109 P.O. Box 956 El Segundo, CA 90245, US
Priority Data:
09/353,52614.07.1999US
Title (EN) MONOLITHIC BYPASS-DIODE AND SOLAR-CELL STRING ASSEMBLY
(FR) ENSEMBLE MONOLITHIQUE DIODE EN PARALLELE ET PILE SOLAIRE
Abstract:
(EN) An apparatus and method for making a solar cell with an integrated bypass diode. The method comprises the steps of depositing a second layer having a first type of dopant on a first layer having an opposite type of dopant to the first type of dopant to form a solar cell, depositing a third layer having the first type of dopant on the second layer, depositing a fourth layer having the opposite type of dopant on the third layer, the third layer and fourth layer forming a bypass diode, selectively etching the third layer and the fourth layer to expose the second layer and the third layer, and applying contacts to the fourth layer, third layer, and the first layer to allow electrical connections to the assembly. The apparatus comprises a first layer having a first type of dopant, a second layer having a second type of dopant opposite to the first type of dopant, wherein the first layer and the second layer form a solar cell, a third layer, coupled to the second layer, and a fourth layer, coupled to the third layer, the third layer and the fourth layer forming a bypass diode.
(FR) L'invention concerne un appareil et un procédé de fabrication d'une pile solaire équipée d'une diode en parallèle intégrée. Le procédé consiste à déposer une deuxième couche possédant un premier type de dopant sur une première couche possédant un type de dopant opposé au premier type de dopant, afin de former une pile solaire ; à déposer une troisième couche possédant le premier type de dopant sur la deuxième couche ; à déposer une quatrième couche possédant le type de dopant opposé sur la troisième couche, la troisième couche et la quatrième couche formant une diode en parallèle ; à graver de manière sélective la troisième couche et la quatrième couche, afin d'exposer la deuxième couche et la troisième couche ; et à établir des contacts sur la quatrième couche, la troisième couche et la première couche, afin de permettre d'établir des connexions électriques à l'ensemble. L'appareil comprend une première couche possédant un premier type de dopant, une deuxième couche possédant un second type de dopant opposé au premier type de dopant, la première couche et la deuxième couche formant une pile solaire, une troisième couche, couplée à la deuxième couche, et une quatrième couche, couplée à la troisième couche, la troisième couche et la quatrième couche formant une diode en parallèle.
front page image
Designated States: JP
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)