WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001006545) ENHANCED n TYPE SILICON MATERIAL FOR EPITAXIAL WAFER SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/006545 International Application No.: PCT/US2000/040360
Publication Date: 25.01.2001 International Filing Date: 12.07.2000
IPC:
C30B 15/00 (2006.01) ,C30B 15/04 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI SILICON AMERICA[US/US]; 1351 Tandem Avenue N.E. Salem, OR 97303, US
Inventors: KIRSCHT, Fritz, G.; US
WILDES, Peter, D.; US
TODT, Volker, R.; US
FUKUTO, Nobuo; US
SNEGIREV, Boris, A.; US
KIM, Seung-Bae; US
Agent: ANANIAN, R., Michael ; Flehr Hohbach Test Albritton & Herbert LLP Suite 3400 4 Embarcadero Center San Francisco, CA 94111-4187, US
Priority Data:
09/354,99416.07.1999US
Title (EN) ENHANCED n TYPE SILICON MATERIAL FOR EPITAXIAL WAFER SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) MATIERE DE SILICIUM DU TYPE n AMELIOREE POUR SUBSTRAT DE TRANCHE EPITAXIAL ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELLE-CI
Abstract: front page image
(EN) An enhanced n+ silicon material for epitaxial substrates and a method for producing it are described. The enhanced material leads to improved gettering characteristics of n/n+ epitaxial wafers based on these substrates. The method for preparing such n+ silicon material includes applying a co-doping of carbon to the usual n dopant in the silicon melt, before growing respective CZ crystals. This improves yield of enhanced n+ silicon material in crystal growing and ultimately leads to device yield stabilization of improvement when such n/n+ epitaxial wafers are applied in device manufacturing.
(FR) L'invention concerne une matière de silicium n+ améliorée pour substrats épitaxiaux et un procédé de production de celle-ci. La matière améliorée permet aux tranches n/n+ épitaxiales comportant ces substrats de présenter des caractéristiques améliorées de fixation des gaz. Le procédé d'élaboration de cette matière de silicium n+ comprend l'application d'un codopant de carbone au dopant n habituel du bain de silicium avant de faire croître les cristaux CZ respectifs. Cette opération permet d'améliorer le rendement de la matière de silicium n+ améliorée dans la croissance des cristaux, et permet d'obtenir finalement une stabilisation des performances de rendement des dispositifs contenant ces tranches épitaxiales n/n+.
Designated States: JP, KR
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)