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1. (WO2001006525) NIOBIUM POWDER, ITS SINTERED BODY, AND CAPACITOR COMPRISING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/006525 International Application No.: PCT/JP2000/004753
Publication Date: 25.01.2001 International Filing Date: 14.07.2000
Chapter 2 Demand Filed: 14.02.2001
IPC:
C22C 1/04 (2006.01) ,C22C 27/02 (2006.01) ,C22C 32/00 (2006.01)
Applicants: NAITO, Kazumi[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHOWA DENKO KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8518, JP (AllExceptUS)
Inventors: NAITO, Kazumi; JP
Agent: UCHIDA, Yukio; Uchida & Associates Sunny Port Shiba 1005 5-10, Shiba 2-chome Minato-ku Tokyo 105-0014, JP
Priority Data:
11/20105815.07.1999JP
Title (EN) NIOBIUM POWDER, ITS SINTERED BODY, AND CAPACITOR COMPRISING THE SAME
(FR) POUDRE DE NIOBIUM, CORPS FRITTE A BASE DE CETTE POUDRE, ET CONDENSATEUR COMPRENANT CE CORPS
Abstract:
(EN) A niobium powder contains nitrogen the amount of which bonded to niobium ranges from 500 ppm by weight to 7,000 ppm by weight. The average particle diameter ranges from 0.2$g(m)m to 3$g(m)m. A sintered body produced by sintering such a niobium powder is also disclosed. The sintered body generally has a specific leakage current of 400 [pA/($g(m)F V) or less. A capacitor comprising an electrode of the sintered body, a dielectric body formed on the electrode, and another electrode exhibits a good leakage current characteristic.
(FR) Cette invention se rapporte à une poudre de niobium, qui contient de l'azote dont la quantité liée au niobium est comprise entre 500 ppm en poids et 7000 ppm en poids. Le diamètre particulaire moyen est compris entre 0,2 $g(m)m et 3 $g(m)m. Un corps fritté produit par frittage de cette poudre de niobium est également décrit. Ce corps fritté possède généralement un courant de fuite spécifique inférieur ou égal à 400 [pA/($g(m)F V). Un condensateur comprenant une électrode faite de ce corps fritté, un corps diélectrique formé sur cette électrode ainsi qu'une autre électrode présente de bonnes caractéristiques de courant de fuite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)