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1. (WO2001006484) CURRENT DRIVE CIRCUIT AND DISPLAY COMPRISING THE SAME, PIXEL CIRCUIT, AND DRIVE METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/006484    International Application No.:    PCT/JP2000/004763
Publication Date: 25.01.2001 International Filing Date: 14.07.2000
IPC:
G09G 3/32 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (For All Designated States Except US).
YUMOTO, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YUMOTO, Akira; (JP)
Agent: SATOH, Takahisa; Sohshin International Patent Office, 4F, Miyaki Builing, 4-2, Yanagibashi 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0052 (JP)
Priority Data:
11/200843 14.07.1999 JP
Title (EN) CURRENT DRIVE CIRCUIT AND DISPLAY COMPRISING THE SAME, PIXEL CIRCUIT, AND DRIVE METHOD
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE ET AFFICHAGE LE COMPRENANT, CIRCUIT DE PIXELS ET PROCEDE D'ATTAQUE
Abstract: front page image
(EN)A display including a current drive circuit capable of supplying a desired current to a light-emitting element in each pixel stably and accurately irrespective of the characteristic variations of active elements in the pixel, thereby providing a high-definition image. Each pixel is composed of a receiving transistor (TFT3) for receiving a signal current (Iw) from a data line (data) when a scanning line (scanA) is selected, a converting transistor (TFT1) for converting the current level of the received signal current (Iw) to a voltage level and holding the voltage level, and a driving transistor (TFT3) for allowing a drive current having a current level corresponding to the held voltage level to flow through light-emitting element (OLED). The converting thin film transistor (TFT1) generates the converted voltage level at its gate by allowing the signal current (Iw) through its channel, and a capacitor (C) holds the voltage level at the gate of the transistor (TFT1). The transistor (TFT2) allows the drive current having a current level corresponding to the voltage level held by the capacitor (C) to flow through the light-emitting element (OLED).
(FR)Cet affichage comprend un circuit d'attaque capable de fournir un courant voulu à un élément émetteur de lumière, dans chaque pixel, de façon stable et précise, quelles que soient les variations caractéristiques des éléments actifs du pixel, de manière à fournir une image haute définition. Chaque pixel se compose d'un transistor récepteur (TFT3) destiné à recevoir un courant de signaux (Iw) à partir d'une ligne de données lorsqu'une ligne de balayage (scanA) est sélectionnée, un transistor convertisseur (TFT1) destiné à convertir le niveau de courant du courant de signaux reçus (Iw) en un niveau de tension, et à conserver ce niveau de tension, ainsi qu'un transistor d'attaque (TFT3) destiné à permettre à un courant d'attaque possédant un certain niveau correspondant au niveau maintenu de tension, de circuler à travers l'élément émetteur de lumière (OLED). Le transisto convertisseur à couches minces (TFT1) produit, à sa grille, le niveau de tension converti en permettant au courant de signaux (Iw) de traverser son canal, un condensateur (C) maintenant le niveau de tension à la grille du transistor (TFT1). Le transistor (TFT2) permet au courant d'attaque possédant un niveau correspondant au niveau de tension maintenu par le condensateur (C) de circuler à travers l'élément émetteur de lumière (OLED).
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)