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1. (WO2001006222) USE OF MULTI-LAYER THIN FILMS AS STRESS SENSORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/006222 International Application No.: PCT/US2000/019709
Publication Date: 25.01.2001 International Filing Date: 19.07.2000
Chapter 2 Demand Filed: 16.02.2001
IPC:
G01L 1/12 (2006.01)
Applicants: FIDELICA MICROSYSTEMS, INC.[US/US]; 423 Dixon Landing Road Milpitas, CA 95035, US
Inventors: GANAPATHI, Srinivasan; US
PRAKASH, Shiva; US
Agent: JOYNER, Roger, S. ; Pillsbury Winthrop LLP 9th floor East Tower 1100 New York Avenue, N.W. Washington, DC 20005-3918, US
Priority Data:
09/500,70609.02.2000US
09/502,40610.02.2000US
60/144,84320.07.1999US
Title (EN) USE OF MULTI-LAYER THIN FILMS AS STRESS SENSORS
(FR) UTILISATION DE FILMS MINCES MULTICOUCHES COMME DETECTEURS DE CONTRAINTE
Abstract: front page image
(EN) The present invention provides a pressure sensing device that includes at least one GMR sensor, and preferably an array of GMR sensors, with each GMR sensor having a conducting spacer layer interposed between two ferromagnetic layers. In an unbiased state, the magnetization vector of each of the ferromagnetic layers is preferably parallel to each other. Upon application of a current, however, the magnetization vector of each ferromagnetic layer is changed, preferably to an antiparallel position, in which state the sensor is used to then sense stress applied thereto. Upon application of stress, the magnetization vectors of both free magnetic layers will rotate, thus causing a corresponding and proportionally related change in the resistance of the sensor. This change in resistance can be sensed and used to calculate the stress applied thereto.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de détection de pression qui comprend au moins un détecteur géant magnétorésistant (GMR), et de préférence un jeu de détecteurs GMR, chaque détecteur GMR possédant une couche d'espacement conductrice interposée entre deux couches ferromagnétiques. Dans un état non polarisé, le vecteur de magnétisation de chacune des couches ferromagnétiques est, de préférence, parallèle l'un à l'autre. Suite à l'application d'un courant, le vecteur de magnétisation de chaque couche ferromagnétique est changé, de préférence, à une position antiparallèle, dans laquelle le détecteur est utilisé pour capter alors la contrainte appliquée. Suite à l'application de la contrainte, les vecteurs de magnétisation des deux couches magnétiques libres tourneront, ce qui provoquera un changement correspondant proportionnellement lié de la résistance du détecteur. Ce changement de résistance peut être détecté et utilisé pour calculer la contrainte appliquée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)