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1. (WO2001006219) MAGNETORESISTIVE SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSORS AND FINGERPRINT IDENTIFICATION/VERIFICATION SENSORS USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/006219    International Application No.:    PCT/US2000/040421
Publication Date: 25.01.2001 International Filing Date: 19.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    16.02.2001    
IPC:
G01L 1/12 (2006.01)
Applicants: FIDELICA MICROSYSTEMS, INC. [US/US]; 423 Dixon Landing Road, Milpitas, CA 95035 (US)
Inventors: GANAPATHI, Srinivasan; (US)
Agent: JOYNER, Roger, S.; Pillsbury Winthrop LLP, 1600 Tysons Boulevard, McLean, VA, 22102 (US)
Priority Data:
60/144,843 20.07.1999 US
09/500,706 09.02.2000 US
Title (EN) MAGNETORESISTIVE SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSORS AND FINGERPRINT IDENTIFICATION/VERIFICATION SENSORS USING SAME
(FR) CAPTEURS DE PRESSION MAGNETORESISTIFS A SEMICONDUCTEUR ET CAPTEURS D'IDENTIFICATION/VERIFICATION D'EMPREINTES DIGITALES DANS LESQUELS LESDITS CAPTEURS DE PRESSION SONT UTILISES
Abstract: front page image
(EN)An alternate method of designing and manufacturing a semiconductor pressure sensor inherently allows for significantly improved sensitivity, thereby allowing miniaturization of the sensor. As a result, the design lends itself to arranging the pressure sensors using this method in a two dimensional array, and measuring pressure distributions with very high lateral resolution. Furthermore, the design eliminates some of the processing complexities associated with the designs taught in the prior art, specifically those related to processes for manufacturing the plates of the parallel plate capacitor, or the piezoresistive strain elements. The invention allows the manufacture of a two dimensional array of pressure sensors with very fine lateral resolution, which provides a much improved means over the prior art of recording fingerprints and the like. Used in conjunction with processing electronics and software that are well known, this method can be used as a means of personal verification, identification and detection. An additional significant benefit of this invention is that the MR device can be used as a temperature sensor or as a magnetic field sensor in this configuration.
(FR)L'invention concerne un nouveau procédé de conception et de fabrication d'un capteur de pression à semi-conducteur à sensibilité considérablement accrue, et permettant la miniaturisation dudit capteur. Ainsi, les capteurs de pression sont disposés au moyen du procédé de l'invention, en groupement bidimensionnel, et les répartitions de pression sont mesurées avec une résolution latérale très élevée. Par ailleurs, la conception permet de supprimer certaines complexités de traitement associées à la technique de l'art antérieur, notamment celles relatives aux procédés de fabrication des plaques des condensateur à plaques parallèles ou des éléments à contraintes piézorésistives. L'invention permet la fabrication d'un groupement bidimensionnel de capteurs de pression avec une résolution latérale très fine, et donc d'un moyen sensiblement plus perfectionné que ceux de l'art antérieur pour l'enregistrement d'empreintes digitales et similaire. Lorsqu'il est combiné à des équipements électroniques de traitement et à un logiciel bien connus, ledit procédé peut être utilisé comme un moyen d'identification, de détection et de vérification personnelle. De plus, le dispositif MR peut être utilisé comme un capteur de température ou comme un capteur de champ magnétique dans cette configuration.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)