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1. (WO2001006044) GROWTH OF EPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL WITH IMPROVED CRYSTALLOGRAPHIC PROPERTIES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/006044    International Application No.:    PCT/US2000/012242
Publication Date: 25.01.2001 International Filing Date: 04.05.2000
Chapter 2 Demand Filed:    14.02.2001    
IPC:
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01)
Applicants: SEH AMERICA, INC. [US/US]; 4111 N.E. 112th Avenue, Vancouver, WA 98682-6776 (US)
Inventors: BOYDSTON, Mark, R.; (US).
DIETZE, Gerald, R.; (US).
KONONCHUK, Oleg, V.; (US)
Agent: GOSNELL, Guy, R.; Alston & Bird LLP, Bank of America Plaza, Suite 4000, 101 South Tryon Street, Charlotte, NC 28280-4000 (US)
Priority Data:
09/353,195 14.07.1999 US
Title (EN) GROWTH OF EPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL WITH IMPROVED CRYSTALLOGRAPHIC PROPERTIES
(FR) CROISSANCE DE MATERIAU SEMICONDUCTEUR EPITAXIAL AUX PROPRIETES CRISTALLOGRAPHIQUES AMELIOREES
Abstract: front page image
(EN)A method of growing epitaxial semiconductor layers with reduced crystallographic defects. The method includes growing a first epitaxial semiconductor layer on a semiconductor substrate under conditions of relatively high temperature and low source gas flow to heal defects in or on the surface of the substrate. Subsequently, a second epitaxial semiconductor layer is grown on the first layer under conditions of relatively low temperature and high source gas flow. The first epi layer acts as a low-defect seed layer by preventing defects in the surface of the substrate from propagating into the second epi layer. Optionally, a hydrogen chloride etch may be employed during a portion of the first epi layer growth to increase the efficacy of the first layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de croissance de couches épitaxiales semiconductrices dont les anomalies cristallographiques sont réduites. Ce procédé consiste à permettre la croissance d'une première couche semiconductrice épitaxiale sur un substrat semiconducteur sous des conditions de température relativement élevée et sous un faible débit de gaz source de façon à corriger les anomalies dans et sur la surface du substrat. Puis on permet la croissance d'une seconde couche semiconductrice épitaxiale sur la première couche sous une température relativement basse et sous un fort débit de gaz source. La première couche épitaxiale agit comme une couche de semence à anomalies restreintes en empêchant les anomalies dans la surface du substrat de se propager dans la seconde couche épitaxiale. On peut éventuellement effectuer un décapage au chlorure d'hydrogène pendant une partie de la croissance de la première couche épitaxiale, de façon à augmenter l'efficacité de la première couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)