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1. (WO2001006032) METHOD FOR FORMING METALLIC TUNGSTEN FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/006032 International Application No.: PCT/JP2000/004705
Publication Date: 25.01.2001 International Filing Date: 13.07.2000
Chapter 2 Demand Filed: 13.02.2001
IPC:
C23C 16/14 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
Applicants: NASU, Masayuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
NAKATSUKA, Sakae[JP/JP]; JP (UsOnly)
TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku Tokyo 107-8481, JP (AllExceptUS)
Inventors: NASU, Masayuki; JP
NAKATSUKA, Sakae; JP
Agent: SATO, Kazuo ; Kyowa Patent & Law Office Fuji Building, Room 323 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0005, JP
Priority Data:
11/20099914.07.1999JP
Title (EN) METHOD FOR FORMING METALLIC TUNGSTEN FILM
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DE TUNGSTENE METALLIQUE
Abstract: front page image
(EN) A method for forming metallic tungsten film wherein gases for a treatment are fed to a vessel (4) for a treatment capable of being evacuated, to form a metallic tungsten film on the surface of a substrate (w) to be treated, characterized in that tungsten hexafluoride gas, hydrogen gas, and an amount less than that of the hydrogen gas of a reducing gas having a reducing ability higher than that of hydrogen gas are used as the gases for a treatment. The method can be employed for forming, at a low temperature of 400? °C or so, a metallic tungsten film having a stress being considerably low at a considerably high rate of forming film.
(FR) Cette invention concerne un procédé de formation d'un film de tungstène métallique dans lequel les gaz de traitement sont envoyées vers un récipient de traitement (4) dans lequel on peut faire le vide, ceci de manière à former un film de tungstène métallique à la surface d'un substrat (w) à traiter. Ce procédé se caractérise en ce que les gaz de traitement utilisés consistent en un gaz d'hexafluorure de tungstène, en de l'hydrogène gazeux et en une quantité d'un gaz réducteur inférieure à la quantité d'hydrogène gazeux, le gaz réducteur ayant une capacité réductrice supérieure à celle de l'hydrogène gazeux. Ce procédé peut être employé pour former, à de basses températures avoisinant les 400° C, un film de tungstène métallique qui possède des caractéristiques de contraintes essentiellement faibles, ceci à une vitesse de formation du film essentiellement élevé.
Designated States: KR, US
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)