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1. (WO2001006010) ANTISENSE MODULATION OF TELOMERIC REPEAT BINDING FACTOR 1 EXPRESSION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/006010    International Application No.:    PCT/US2000/019030
Publication Date: 25.01.2001 International Filing Date: 12.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    15.02.2001    
IPC:
A61K 38/00 (2006.01), C12N 15/11 (2006.01)
Applicants: ISIS PHARMACEUTICALS, INC. [US/US]; 2292 Faraday Avenue, Carlsbad, CA 92008 (US) (For All Designated States Except US).
MONIA, Brett, P. [US/US]; (US) (For US Only).
COWSERT, Lex, M. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MONIA, Brett, P.; (US).
COWSERT, Lex, M.; (US)
Agent: LICATA, Jane, Massey; Law Offices of Jane Massey Licata, 66 E. Main Street, Marlton, NJ 08053 (US)
Priority Data:
09/358,384 20.07.1999 US
Title (EN) ANTISENSE MODULATION OF TELOMERIC REPEAT BINDING FACTOR 1 EXPRESSION
(FR) MODULATION ANTISENS DE L'EXPRESSION DU FACTEUR 1 DE LIAISON A UNE REPETITION TELOMERIQUE
Abstract: front page image
(EN)Antisense compounds, compositions and methods are provided for modulating the expression of Telomeric Repeat Binding Factor 1. The compositions comprise antisense compounds, particularly antisense oligonucleotides, targeted to nucleic acids encoding Telomeric Repeat Binding Factor 1. Methods of using these compounds for modulation of Telomeric Repeat Binding Factor 1 expression and for treatment of diseases associated with expression of Telomeric Repeat Binding Factor 1 are provided.
(FR)L'invention concerne des composés antisens, des compositions et procédés de modulation de l'expression du facteur 1 de liaison à une répétition télomérique. Ces compositions comprennent des composés antisens, notamment des oligonucléotides antisens, dirigés sur des acides nucléiques codant pour le facteur 1 de liaison à la répétition télomérique. L'invention concerne également des procédés d'utilisation de ces composés dans la modulation de l'expression de ce facteur 1, ainsi que dans le traitement de maladies associées à l'expression du facteur 1 de liaison à la répétition télomérique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)