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1. (WO2001004961) POWER SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BURIED INSULATING REGIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/004961    International Application No.:    PCT/US2000/018722
Publication Date: 18.01.2001 International Filing Date: 10.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    30.01.2001    
IPC:
H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY [US/US]; Campus Box 7003, Raleigh, NC 27695-7003 (US) (For All Designated States Except US).
BALIGA, Bantval, Jayant [IN/US]; (US)
Inventors: BALIGA, Bantval, Jayant; (US)
Agent: SCOTT, Grant, J.; Myers Bigel Sibley & Sajovec, P.A., Post Office Box 37428, Raleigh, NC 27627 (US)
Priority Data:
09/352,392 13.07.1999 US
Title (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BURIED INSULATING REGIONS
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE COMPORTANT DES ZONES D'ISOLEMENT ENTERREES
Abstract: front page image
(EN)Power semiconductor devices include a semiconductor substrate (106, 206) having a face thereon and a buried electrically insulating layer (102, 202) extending laterally in the semiconductor substrate (106, 206) and having an opening therein. A drift region (104, 204) of first conductivity type is also provided in the semiconductor substrate (106, 206). To improve breakdown voltage characteristics, the drift region (104, 204) extends through the opening in the buried electrically insulating layer (102, 202) and has a first conductivity type doping concentration therein that is established at a level sufficient to generate a first conductivity type charge density of between 1x1012 cm-2 and 5x1013 cm-2 across the opening.
(FR)L'invention concerne des dispositifs semi-conducteurs de puissance comprenant un substrat (106, 206) de semi-conducteur qui présente une face et comporte une couche (102, 202) d'isolement électrique enterrée, cette couche s'étendant latéralement dans le substrat (106, 206) de semi-conducteur et contenant une ouverture. Une zone de migration (104, 204) présentant un premier type de conductivité est également prévue dans le substrat (106, 206) de semi-conducteur. Afin d'améliorer les caractéristiques de tension de claquage, la zone de migration (104, 204) s'étend à travers l'ouverture de la couche (102, 202) d'isolement électrique enterrée et présente une concentration de dopage du premier type de conductivité qui est fixée à un niveau suffisant pour produire une densité de charge du premier type de conductivité se situant entre 1x1012 cm-2 et 5x1013 cm-2 à l'ouverture.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)