WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001004941) FABRICATION PROCESS FOR DISHING-FREE CU DAMASCENE STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/004941    International Application No.:    PCT/US2000/040365
Publication Date: 18.01.2001 International Filing Date: 11.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    31.01.2001    
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Applicants: ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US)
Inventors: CHADDA, Saket; (US).
HASKELL, Jacob, D.; (US).
FRAZIER, Gary, A.; (US).
MERRITT, James, D.; (US)
Agent: SCHNECK, Thomas; Law Offices of Thomas Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Priority Data:
09/352,545 12.07.1999 US
Title (EN) FABRICATION PROCESS FOR DISHING-FREE CU DAMASCENE STRUCTURES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURES DE CUIVRE DAMASQUINEES EXEMPTES DE BOMBAGE
Abstract: front page image
(EN)Fabrication of copper damascene interconnects includes depositing an oxide layer (304) atop an underlying conductive layer (102) such as a substrate or a metal layer, which is then patterned and etched. A barrier layer (308) having an optional copper seed layer is then deposited atop the patterned oxide layer (304). The barrier layer (308) is patterned and etched to remove some of the barrier material. Copper (318) is plated atop the barrier layer (308). CMP polishing is performed to bring the copper layer (318) to the level of the barrier layer (308). Polishing is continued to further polish down the barrier layer (308) and any remaining copper (318) to the level of the oxide layer (304). The result is a dishing-free copper damascene structure.
(FR)Pour fabriquer des liaisons damasquinées en cuivre, le procédé de l'invention fait intervenir le dépôt d'une couche d'oxyde (304) au-dessus d'une couche sous-jacente électro-conductrice (102) telle qu'un substrat ou une couche de métal, qui est alors tracée puis gravée. On dépose ensuite au-dessus de la couche d'oxyde tracée (304) une couche barrière (308) comportant éventuellement une couche germe de cuivre. La couche barrière (308) est ensuite soumise à traçage et gravure de façon à enlever une partie de la matière barrière. Un plaquage de cuivre (308) est ensuite réalisé au-dessus de le couche barrière (308). Un polissage chimio-mécanique permet de réduire la couche de cuivre (318) jusqu'à niveau de la couche barrière (308). On poursuit le polissage pour réduire encore plus la couche barrière (308) et éliminer un éventuel reliquat de cuivre (318) jusqu'à arriver au niveau de la couche d'oxyde (304). Il en résulte une structure de cuivre damasquinée exempte de bombage.
Designated States: CA, CN, JP, KR, NO, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)