WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001004936) METHOD OF CLEANING A SEMICONDUCTOR DEVICE PROCESSING CHAMBER AFTER A COPPER ETCH PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/004936    International Application No.:    PCT/US2000/040335
Publication Date: 18.01.2001 International Filing Date: 10.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    08.02.2001    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450 A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: LU, Danny, Chien; (US).
ZHAO, Allen; (US).
HSIEH, Peter; (US).
SHIH, Hong; (US).
XU, Li; (US).
YE, Yan; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
09/350,802 09.07.1999 US
Title (EN) METHOD OF CLEANING A SEMICONDUCTOR DEVICE PROCESSING CHAMBER AFTER A COPPER ETCH PROCESS
(FR) NETTOYAGE D'UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS APRES GRAVURE DU CUIVRE
Abstract: front page image
(EN)The present invention is a method for removing deposited etch byproducts from surfaces of a semiconductor processing chamber after a copper etch process. The method of the invention comprises the following general steps: a) an oxidation step, in which interior surfaces of the processing chamber are contacted with an oxidizing plasma; b) a first non-plasma cleaning step, in which interior surfaces of the processing chamber are contacted with an H+hfac-comprising gas; and c) a second cleaning step, in which interior surfaces of the processing chamber are contacted with a plasma containing reactive fluorine species, whereby at least a portion of the copper etch byproducts remaining after step (b) are volatilized into gaseous species, which are removed from the processing chamber. The method of the invention is preferably performed at a chamber wall temperature of at least 150 °C in order to achieve optimum cleaning of the chamber at the chamber operating pressures typically used during the cleaning process. The dry cleaning method of the invention can be performed between wafer processing runs without opening the processing chamber, thereby minimizing potential contamination to the chamber as well as chamber downtime.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant d'éliminer les dépôts de sous-produits de gravure sur les surfaces d'une chambre de traitement de semi-conducteurs après une opération de gravure du cuivre. Ce procédé implique (a) une opération d'oxydation, (b) une première opération de nettoyage non plasmatique, et (c) une seconde opération de nettoyage. Pour l'opération d'oxydation (a), on met les surfaces intérieures de la chambre de traitement en contact avec un plasma oxydant. Pour la première opération de nettoyage non plasmatique (b), on met les surfaces intérieures de la chambre de traitement en contact avec un gaz à base de 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pendanedione (H+hfac). Enfin, pour la deuxième opération de nettoyage (c), on met les surfaces intérieures de la chambre de traitement en contact avec un plasma contenant des espèces fluorées réactives. En l'occurrence, une partie au moins des sous produits de gravure restant après l'opération (b) se volatilisent en espèce gazeuse qui sont éliminées de la chambre de traitement. Le procédé de l'invention nécessite de préférence une température des parois de la chambre d'au moins 150°C si l'on veut obtenir un nettoyage optimal de la chambre aux pressions de fonction de la chambre normalement utilisées pendant le processus de nettoyage. Ce nettoyage à sec peut se faire entre deux passes de traitement des plaquettes, sans avoir à ouvrir la chambre de traitement, ce qui ramène à un minimum, d'une part les risques de contamination de la chambre, et d'autre part les temps d'arrêt de la chambre.
Designated States: JP, KR.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)