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1. (WO2001004935) APPARATUS AND METHOD FOR TRANSFERRING A WORKPIECE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/004935    International Application No.:    PCT/US2000/019027
Publication Date: 18.01.2001 International Filing Date: 12.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    06.02.2001    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/677 (2006.01)
Applicants: FSI INTERNATIONAL, INC. [US/US]; 322 Lake Hazeltine Drive, Chaska, MN 55318-1096 (US)
Inventors: WAGENER, Thomas, J.; (US).
PATRIN, John, C.; (US).
INHOFER, William, P.; (US).
SIEFERING, Kevin, L.; (US)
Agent: KAGAN, David, B.; 2200 Wells Fargo Center, 90 South Seventh Street, Minneapolis, MN 55402-3901 (US).
HAURYKIEWICZ, John, M.; Faegre & Benson, LLP, 2200 Wells Fargo Center, 90 South Seventh Street, Minneapolis, MN 55402 (US)
Priority Data:
09/351,939 12.07.1999 US
Title (EN) APPARATUS AND METHOD FOR TRANSFERRING A WORKPIECE
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE PIECE DE TRAVAIL
Abstract: front page image
(EN)An apparatus having a processing chamber for processing a semiconductor wafer under evacuated conditions that is capable of transfer of the wafer from the processing chamber under conditions that are substantially equal to the pressure of an adjacent environment. In a preferred embodiment, the processing chamber is pressurized and vented with a source of high purity dry gas that is diffused into the chamber through a diffuser to pressurize the processing chamber after processing of the wafer is completed. A chamber equalization port between the processing chamber and the adjacent environment is opened to maintain the pressure within the chamber at or slightly above the pressure of the adjacent environment, and the chamber valve is then opened. The wafer can then be removed from the processing chamber, and a new wafer can be inserted. The chamber is then sealed by closing the chamber valve and the equalization port, and the atmosphere within the processing chamber is evacuated to a desired level. The new wafer is then processed, and the above steps are repeated to remove the wafer once processing has finished.
(FR)La présente invention concerne un appareil comportant une enceinte de traitement, destinée à traiter une plaquette de semi-conducteurs sous une atmosphère raréfiée, permettant de transférer la plaquette à partir d'une enceinte de traitement sous des conditions de pression sensiblement égales à celles d'un environnement adjacent. Dans une réalisation préférée, l'enceinte de traitement est mise sous pression et ventilée au moyen d'un gaz sec de haute pureté, diffusé dans l'enceinte à l'aide d'un diffuseur afin de placer l'enceinte sous pression après traitement de la plaquette. Un orifice d'égalisation d'enceinte, placé entre l'enceinte de traitement et l'environnement adjacent, est ouvert afin de maintenir la pression dans l'enceinte à une pression égale ou légèrement supérieure à celle de l'environnement adjacent, puis la vanne d'enceinte est ouverte. On peut alors retirer la plaquette de l'enceinte et y introduire une nouvelle plaquette. L'enceinte est rendue étanche par fermeture de la vanne et de l'orifice d'égalisation, et l'atmosphère de l'enceinte de traitement est alors raréfiée au niveau recherché. La nouvelle plaquette est alors traitée, et les étapes précédentes sont répétées afin de retirer la plaquette une fois son traitement achevé.
Designated States: CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)