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1. (WO2001004927) METHODOLOGIES TO REDUCE PROCESS SENSITIVITY TO THE CHAMBER WALL CONDITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/004927    International Application No.:    PCT/US2000/019152
Publication Date: 18.01.2001 International Filing Date: 12.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    09.02.2001    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: XU, Songlin; (US).
SUN, Zhiwen; (US).
PODLESNIK, Dragan; (US).
QIAN, Xueyu; (US)
Agent: MOSER, Ray, R.; Thomason, Moser & Patterson, Suite 1500, 3040 Post Oak Boulevard, Houston, TX 77056 (US)
Priority Data:
09/352,008 12.07.1999 US
Title (EN) METHODOLOGIES TO REDUCE PROCESS SENSITIVITY TO THE CHAMBER WALL CONDITION
(FR) NOUVELLES METHODOLOGIES PERMETTANT DE REDUIRE LA SENSIBILITE D'UN TRAITEMENT AUX CONDITIONS PREVALANT DANS LA CHAMBRE
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus for reducing the sensitivity of semiconductor processing to chamber conditions is provided. Process repeatability of common processes are affected by changing surface conditions which alter the recombination rates of processing chemicals to the chamber surfaces. In one aspect of the invention, a composition of one or more etchants is selected to optimize the etch performance and reduce deposition on chamber surfaces. The one or more etchants are selected to minimize buildup on the chamber surfaces, thereby controlling the chamber surface condition to minimize changes in etch rates due to differing recombination rates of free radicals with different surface conditions and achieve etch repeatability. In another embodiment, the etchant chemistry is adjusted to reduce the change to internal surface conditions after a cleaning cycle. In another embodiment, a process recipe is selected to reduce the sensitivity of the etch process to the chamber conditions. In another embodiment, chamber surface materials are selected to minimize the differences in recombination rates of free radicals on the surface materials and the byproduct depositions formed on the materials during processing.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil pouvant réduire la sensibilité d'un traitement de semi-conducteurs aux conditions prévalant dans la chambre. La répétabilité de traitements communs est affectée par des conditions de surface changeantes qui modifient les taux de recombinaison des produit chimiques de traitement par rapport aux surfaces de la chambre. Dans un aspect de l'invention, une composition d'un ou plusieurs agents de gravure est choisie pour optimiser les performances de gravure et diminuer le dépôt sur les surfaces de la chambre. Ces agents de gravure sont choisis pour réduire au maximum l'accumulation sur les surfaces de la chambre, ce qui permet de contrôler l'état des surfaces de la chambre aux fins de minimiser les modifications de vitesses de gravure dues à des écarts dans les taux de recombinaison des radicaux libres présentant des conditions de surface différentes et obtenir la répétabilité de la gravure. Dans un autre aspect de l'invention, les produits chimiques de gravure sont calibrés pour réduire le changement apporté à l'état de la surface interne après un cycle de nettoyage. Dans un autre aspect, une recette de traitement est choisie aux fins de réduire la sensibilité du procédé de gravure aux conditions dans la chambre. Dans un aspect différent, des matériaux de surface de chambre sont choisis pour réduire au minimum les écarts entre les taux de recombinaison des radicaux libres sur les matériaux de surface et les dépôts de sous-produits formés sur les matériaux pendant le traitement.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)