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1. (WO2001004707) PHOTORESIST REMOVAL PROCESS USING FORMING GAS PLASMA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/004707 International Application No.: PCT/US2000/006603
Publication Date: 18.01.2001 International Filing Date: 13.03.2000
Chapter 2 Demand Filed: 25.01.2001
IPC:
G03F 7/42 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.[US/US]; Mail Stop 68 One AMD Place Sunnyvale, CA 94088-3453, US
Inventors: YOU, Lu; US
AVANZINO, Steven, C.; US
BERTRAND, Jacques; US
HUANG, Richard, J.; US
Agent: RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc. One AMD Place Mail Stop 68 Sunnyvale, CA 94088-3453, US
BROOKES & MARTIN; 102-108 Clerkenwell Road London EC1M 5SA, GB
Priority Data:
09/349,05507.07.1999US
Title (EN) PHOTORESIST REMOVAL PROCESS USING FORMING GAS PLASMA
(FR) PROCEDE D'ELIMINATION D'UN PHOTORESIST UTILISANT UN PLASMA GAZEUX
Abstract: front page image
(EN) An integrated circuit and a method of removing photoresist is described. The process described uses a low oxygen gas or non-oxygen forming gas plasma that removes the photoresist (26) and provides a protective surface layer over the low-k dielectric material (22) exposed at sidewalls of etched via (32). The low-k dielectric material (22), preferably HSQ, BCB or the like, is part of a dielectric stack (20, 22, 24). After exposure to the gas plasma, preferably comprising H2+N2+CF4, the integrated circuit is subjected to solvent to remove residual photoresist, and a degas step.
(FR) L'invention concerne un circuit intégré et un procédé d'élimination d'un photorésist, ce procédé consistant tout d'abord à utiliser un gaz à faible teneur en oxygène ou un plasma gazeux exempt d'oxygène pour éliminer le photorésist (26) et former une couche superficielle protectrice sur un corps diélectrique à faible constante diélectrique (22), lequel est exposé sur les parois latérales d'une traversée gravée (32). Ce corps diélectrique à faible constante diélectrique (22), qui est de préférence HSQ, BCB ou similaire, fait partie d'un empilement diélectrique (20, 22, 24). Le procédé de cette invention consiste ensuite à exposer le circuit intégré au plasma gazeux, qui renferme de préférence H2+N2+CF4, puis à le soumettre à un solvant afin d'éliminer les restes du photorésist, et enfin à lui faire subir une étape de dégazage.
Designated States: JP, KR
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)