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1. (WO2001004389) SIC MONOCRYSTAL SUBLIMATION GROWTH DEVICE WITH A FILM-COVERED CRUCIBLE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/004389    International Application No.:    PCT/DE2000/002170
Publication Date: 18.01.2001 International Filing Date: 04.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    20.12.2000    
IPC:
C30B 23/00 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
STEIN, Rene [FR/DE]; (DE) (For US Only).
KUHN, Harald [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VÖLKL, Johannes [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: STEIN, Rene; (DE).
KUHN, Harald; (DE).
VÖLKL, Johannes; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-80506 München (DE)
Priority Data:
199 31 334.2 07.07.1999 DE
Title (DE) VORRICHTUNG ZUR SUBLIMATIONSZÜCHTUNG EINES SIC-EINKRISTALLS MIT FOLIENAUSGEKLEIDETEM TIEGEL
(EN) SIC MONOCRYSTAL SUBLIMATION GROWTH DEVICE WITH A FILM-COVERED CRUCIBLE
(FR) DISPOSITIF POUR LA PRODUCTION PAR SUBLIMATION D'UN MONOCRISTAL DE SIC A L'AIDE D'UN CREUSET REVETU D'UN FILM
Abstract: front page image
(DE)Die Vorrichtung zur Herstellung eines SiC-Einkristalls (32) umfaßt einen Tiegel (10) mit einer Tiegelinnenzone (11). Innerhalb dieser befinden sich ein Vorratsbereich (12) für einen Vorrat aus festem SiC (30) und ein Kristallbereich (13), in dem der SiC-Einkristall (32) auf einen SiC-Keim kristall (31) aufwächst. Außerhalb des Tiegels (10) ist eine Heizeinrichtung (16) angeordnet. Der Tiegel (10) ist auf einer der Tiegelinnenzone (11) zugewandten Seite mit einer Folie (17) aus Tantal, Wolfram, Niob, Molybdän, Rhenium, Iridium, Ruthenium, Hafnium oder Zirkon ausgekleidet. Dadurch ergibt sich eine Abdichtung des Tiegels, und es wird eine Reaktion der aggressiven Komponenten der SiC-Gasphase mit der Tiegelwand verhindert.
(EN)The device for producing an SiC monocrystal (32) comprises a crucible (10) which is provided with an inner area (11) containing a storage area (12) for a solid SiC supply (30) and a crystal area (13) wherein the SiC monocrystal (32) is grown on a SiC seed crystal (31). One side of the crucible (11) facing the inner area thereof is covered with a film made of tantalum, tungsten, niobium, molybdenum, rhenium, iridium, ruthenium, hafnium or zircon, whereby the crucible is sealed and aggressive constituents of the SiC gaseous phase are prevented from reacting with the wall of the crucible.
(FR)L'invention concerne un dispositif permettant de produire un monocristal de SiC (32), qui comprend un creuset (10) pourvu d'une zone intérieure (11) dans laquelle se trouve une partie de réserve (12) où est placée une réserve de SiC (30) solide et une partie de cristallisation (30) dans laquelle le monocristal de SiC (32) croît sur un cristal germe de SiC (31). A l'extérieur du creuset (10) est placé un dispositif de chauffage (16). Le creuset (10) est, sur un côté faisant face à la zone intérieure (11), recouvert d'un film (17) de tantale, de tungstène, de niobium, de molybdène, de rhénium, d'iridium, de ruthénium, de hafnium ou de zirconium. On obtient ainsi une étanchéité du creuset et une réaction des composants agressifs de la phase gazeuse de SiC avec la paroi du creuset est empêchée.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)