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1. (WO2001004376) A METHOD OF FORMING A SILICON NITRIDE LAYER ON A SEMICONDUCTOR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/004376    International Application No.:    PCT/US2000/040339
Publication Date: 18.01.2001 International Filing Date: 10.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    08.02.2001    
IPC:
C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450 A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: YANG, Michael, X.; (US).
KAO, Chien-Teh; (US).
LITTAU, Karl; (US).
CHEN, Steven, A.; (US).
HO, Henry; (US).
YU, Ying; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
09/350,810 09.07.1999 US
Title (EN) A METHOD OF FORMING A SILICON NITRIDE LAYER ON A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM SUR UNE PLAQUETTE A SEMICONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)The invention provides methods and apparatuses of forming a silicon nitride layer on a semiconductor wafer. A semicondutor wafer is located on a susceptor within a semiconductor processing chamber. A carrier gas, a nitrogen source gas, and a silicon source gas are introduced into the semiconductor processing chamber and a semiconductor wafer is exposed to the mixture of gases at a pressure in the chamber in the range of approximately 100 to 500 Torr.
(FR)La présente invention concerne un procédé et des appareils destinés à la formation d'une couche de nitrure de silicium sur une plaquette à semi-conducteurs. En l'occurrence, on dispose une plaquette à semi-conducteurs sur un suscepteur à l'intérieur d'une chambre de traitement de semi-conducteurs. On introduit ensuite dans la chambre de traitement de semi-conducteurs un gaz vecteur, un gaz source d'azote, et un gaz source de silicium, puis on expose la plaquette à semi-conducteurs au mélange des gaz à une pression intérieure de la chambre de l'ordre de 100 à 500 Torr.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)