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1. (WO2001003207) A MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/003207    International Application No.:    PCT/IB2000/000958
Publication Date: 11.01.2001 International Filing Date: 03.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    25.01.2001    
IPC:
H01L 27/144 (2006.01), H01L 31/115 (2006.01)
Applicants: EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH [--/CH]; CH-1211 Geneva 23 (CH) (For All Designated States Except US).
UNIVERSITÄT BERN (LABORATORIUM FÜR HOCHENERGIEPHYSIK) [CH/CH]; Sidlerstrasse 5, CH-3012 Bern (CH) (For All Designated States Except US).
PALMIERI, Vittorio [IT/FR]; (FR) (For US Only).
CASAGRANDE, Luca [IT/FR]; (FR) (For US Only).
SNOEYS, Walter, Jan, Maria [BE/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: PALMIERI, Vittorio; (FR).
CASAGRANDE, Luca; (FR).
SNOEYS, Walter, Jan, Maria; (FR)
Agent: KINSLER, Maureen, Catherine; Kilburn & Strode, 20 Red Lion Street, London WC1R 4PJ (GB)
Priority Data:
9915433.8 01.07.1999 GB
Title (EN) A MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DETECTOR
(FR) DETECTEUR MONOLITHIQUE A SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor radiation detector comprising a semiconductor substrate (30) on a front face of which are provided a first semiconductor well (31) and a second semiconductor well (36). The first well (31) forms a diode with the semiconductor substrate (30) and acts as a collector for collecting signals due to incident radiation. The second well (36) contains readout circuitry (37) that is connected to the collector (31), wherein a biasing contact (34) is provided for biasing the diode and the readout circuitry (37) is ac coupled to the collector (31).
(FR)Un détecteur de rayonnement à semi-conducteurs comprend un substrat (30) à semi-conducteurs sur la face avant duquel sont prévus des premier (31) et deuxième puits (36) à semi-conducteurs. Le premier puits (31) forme une diode avec le substrat (30) à semi-conducteurs et fait office de collecteur de signaux pour les signaux provoqués par le rayonnement incident. Le deuxième puits (36) contient un circuit de sortie (37) qui est connecté au collecteur (31), un contact (34) de sollicitation étant prévu pour solliciter la diode et le circuit de sortie (37) étant relié en couplage ac au collecteur (31).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)