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1. (WO2001003205) INDIRECT BACK SURFACE CONTACT TO SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/003205    International Application No.:    PCT/US2000/018241
Publication Date: 11.01.2001 International Filing Date: 30.06.2000
Chapter 2 Demand Filed:    31.01.2001    
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/335 (2006.01)
Applicants: DIGIRAD CORPORATION [US/US]; 9350 Trade Place, San Diego, CA 92128 (US) (For All Designated States Except US).
CARLSON, Lars, S. [US/US]; (US) (For US Only).
ZHAO, Shulai [US/US]; (US) (For US Only).
WILSON, Richard [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CARLSON, Lars, S.; (US).
ZHAO, Shulai; (US).
WILSON, Richard; (US)
Agent: HAGLER, James, T.; Fish & Richardson P.C., Suite 500, 4350 La Jolla Village Drive, San Diego, CA 92122 (US)
Priority Data:
60/142,139 02.07.1999 US
Title (EN) INDIRECT BACK SURFACE CONTACT TO SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) CONTACT INDIRECT PAR SURFACE POSTERIEURE AVEC DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A back illuminated semiconductor imaging device is disclosed. The device includes a substrate (102) having at least first (106) and second (104) surfaces opposing each other, and a circuit layer. The substrate is doped to exhibit a first conductivity type. The substrate includes a conducting layer, a region, and a plurality of doped regions. The conducting layer includes a first type dopants incorporated near the first surface. The region includes a heavily doped area (108) within the substrate near the second surface. The plurality of doped regions includes a second type dopant formed on the second surface. The circuit layer is formed over the second surface to provide gate contacts to and readout circuits for the plurality of doped regions. The readout circuit provides readout of optical signals from pixels.
(FR)Cette invention concerne un dispositif imageur à semi-conducteurs. Ce dispositif comprend un substrat (102) présentant une première (106) et une seconde (104) surfaces opposées l'une à l'autre, et une couche de circuit. Le substrat est dopé et présente un premier type de conductivité. Il comprend une couche conductrice, une région et une région et une pluralité de régions dopées. La couche conductrice renferme des dopants de premier type intégrés à proximité de la première surface. La région susmentionnée comporte une zone fortement dopée (108) à l'intérieur du substrat, à proximité de la seconde surface. Les diverses régions dopées renferment un dopant de second type formé sur la seconde surface. La couche de circuit, qui est formée sur la seconde surface, fournit des contacts de porte et des circuits de lecture pour les diverses régions dopées. Le circuit de lecture permet de lire des signaux optiques à partir de pixels.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)