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1. (WO2001003193) SEMICONDUCTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/003193 International Application No.: PCT/DE2000/001954
Publication Date: 11.01.2001 International Filing Date: 14.06.2000
Chapter 2 Demand Filed: 24.11.2000
IPC:
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/08 (2006.01) ,H01L 29/32 (2006.01) ,H01L 29/732 (2006.01)
Applicants: PLIKAT, Robert[DE/DE]; DE (UsOnly)
ROBERT BOSCH GMBH[DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart, DE (AllExceptUS)
Inventors: PLIKAT, Robert; DE
Priority Data:
199 30 783.003.07.1999DE
Title (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to a semiconductor element comprising two pn junctions, which are structured in a wafer and which separate three electrically contactable areas with different charge carrier doping from each other (bipolar transistor). The charge carrier distribution in one of the outer charge carrier areas (collector area) is graded. According to the invention, charge carrier islands (34) are structured inside one of the more weakly doped partial charge carrier areas (20) of the graded outer charge carrier area (16) and are doped in the opposite manner to the partial charge carrier area (20).
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur comprenant deux jonctions pn qui sont structurées dans une plaquette et qui séparent trois zones de différents dopages de porteurs de charge et pouvant être mises en contact électrique (transistor bipolaire). Une répartition des porteurs de charge est étagée dans une zone porteur de charge externe (collecteur). L'invention est caractérisée en ce que des îlots porteurs de charge (34) sont structurés dans la zone porteur de charge partielle (20) à faible dopage de la zone porteur de charge externe étagée (16). Ces îlots ont un dopage opposé à celui de la zone porteur de charge partielle (20).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit zwei in einem Wafer strukturierten pn-Übergängen, die drei elektrisch kontaktierbare Gebiete unterschiedlicher Ladungsträgerdotierung voneinander trennen (Bipolartransistor), wobei eine Ladungsträgerverteilung in einem der äußeren Ladungsträgergebiete (Kollektorgebiet) gestuft ist. Es ist vorgesehen, daß innerhalb eines schwächer dotierten Teil-Ladungsträgergebietes (20) des gestuften äußeren Ladungsträgergebietes (16) Ladungsträgerinseln (34) strukturiert sind, deren Dotierung entgegengesetzt der Dotierung des Teil-Ladungsträgergebietes (20) ist.
Designated States: CZ, HU, JP, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)