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1. (WO2001003171) METHOD FOR MAKING A THIN FILM USING PRESSURISATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/003171    International Application No.:    PCT/FR2000/001828
Publication Date: 11.01.2001 International Filing Date: 29.06.2000
Chapter 2 Demand Filed:    15.12.2000    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération, F-75752 Paris 15ème (FR) (For All Designated States Except US).
ASPAR, Bernard [FR/FR]; (FR) (For US Only).
BRUEL, Michel [FR/FR]; (FR) (For US Only).
MORICEAU, Hubert [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: ASPAR, Bernard; (FR).
BRUEL, Michel; (FR).
MORICEAU, Hubert; (FR)
Agent: LEHU, Jean; Brevatome, 3, rue du Docteur Lancereaux, F-75008 Paris (FR)
Priority Data:
99/08379 30.06.1999 FR
Title (EN) METHOD FOR MAKING A THIN FILM USING PRESSURISATION
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UN FILM MINCE UTILISANT UNE MISE SOUS PRESSION
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for making a thin film from a solid material substrate (1) having a planar surface (2) which consists in: implanting gaseous species in the substrate (1) to form a layer of microcavities located at a depth relative to said planar surface (2) corresponding to the desired thickness for the film, the gaseous species being implanted in conditions capable of embrittling the substrate at the layer of microcavities; partially or completely separating the thin film from the rest of the substrate (1), said separation comprising a step which consists in supplying thermal energy and applying pressure on said planar surface (2).
(FR)L'invention concerne un procédé de réalisation d'un film mince à partir d'un substrat (1) de matériau solide présentant une face plane (2), comprenant : l'implantation d'espèces gazeuses dans le substrat (1) pour constituer une couche de microcavités située à une profondeur par rapport à ladite face plane (2) correspondant à l'épaisseur du film mince désiré, les espèces gazeuses étant implantées dans des conditions susceptibles de fragiliser le substrat au niveau de la couche de microcavités, la séparation partielle ou totale du film mince du reste du substrat (1), cette séparation comportant une étape d'apport d'énergie thermique et d'application de pression sur ladite face plane (2).
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)