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1. (WO2001002619) SPUTTERING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/002619    International Application No.:    PCT/JP2000/004511
Publication Date: 11.01.2001 International Filing Date: 06.07.2000
Chapter 2 Demand Filed:    07.12.2000    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
AIDA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUNEOKA, Masatoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: AIDA, Hisashi; (JP).
TSUNEOKA, Masatoshi; (JP)
Agent: HASEGAWA, Yoshiki; Soei Patent and Law Firm Okura-Honkan 6-12, Ginza 2-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Priority Data:
11/191702 06.07.1999 JP
Title (EN) SPUTTERING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE PULVERISATION CATHODIQUE ET PROCEDE DE FORMATION DE FILM
Abstract: front page image
(EN)A sputtering device comprising a vacuum chamber, a pedestal for supporting a substrate within the vacuum chamber, a target provided so that its erosion surface faces the substrate supported by the pedestal, a gas supply means for supplying a process gas into the vacuum chamber, a depressurizing means for depressurizing the vacuum chamber, and a magnetron unit disposed on the side opposite to the erosion surface. The magnetron unit is provided with a sub-unit for generating a magnetic field along a reference axis connecting the erosion surface with the surface of the substrate. A stable self-sputtering is effected because of the ionization of particles to be sputtered promoted by the magnetic field.
(FR)L'invention concerne un dispositif de pulvérisation cathodique comprenant une chambre à vide, un piédestal pour soutenir un substrat dans la chambre à vide, une cible prévue, de sorte que sa surface d'érosion se trouve en face du substrat soutenu par le piédestal, un moyen d'alimentation en gaz pour fournir un gaz de traitement dans la chambre à vide, un moyen de dépressurisation pour dépressuriser la chambre à vide, et une unité à magnétron placée du côté opposé à la surface d'érosion. L'unité à magnétron est dotée d'une sous-unité conçue pour générer un champ magnétique le long d'un axe de référence reliant la surface d'érosion à la surface du substrat. Une auto-pulvérisation cathodique stable est assurée du fait que l'ionisation des particules à pulvériser est favorisée par le champ magnétique.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)