WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001001495) POWER-SWITCHING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/001495    International Application No.:    PCT/JP1999/003457
Publication Date: 04.01.2001 International Filing Date: 29.06.1999
IPC:
H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8310 (JP) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, LU, MC, NL, PT, SE only).
MORISHITA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATOH, Katsumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MORISHITA, Kazuhiro; (JP).
SATOH, Katsumi; (JP)
Agent: MIYATA, Kaneo; Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8310 (JP)
Priority Data:
Title (EN) POWER-SWITCHING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR DE COMMUTATION DE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN)A power-switching semiconductor device which can be reduced in turn-on time at low cost and which comprises a first main electrode (4) divided into a plurality of segments (1) and forming a row (7) of multiple-concentric-circle segments and a control electrode (2) surrounding the segments, both formed on the front main surface of a semiconductor substrate, and a second main electrode formed on the rear main surface thereof, wherein a control signal input through the control electrode (2) is used to turn on between the first main electrode (4) and the second main electrode and the relation between the width (A1) of the segment (1) and an interval (B1) between segments is specified
(FR)Selon l'invention, on peut réduire, à bas coût, le temps de mise sous tension d'un dispositif à semi-conducteur de commutation de puissance, lequel comprend une première électrode principale (4) divisée en plusieurs segments (1) et formant une rangée (7) de plusieurs segments circulaires concentriques, et une seconde électrode de commande (2) entourant les segments, ces deux électrodes étant formées sur la surface principale antérieure d'un substrat à semi-conducteur, ainsi qu'une seconde électrode principale formée sur la surface principale postérieure dudit substrat. Ce dispositif est caractérisé en ce que l'entrée d'un signal de commande à travers l'électrode de commande (2) sert à une mise sous tension entre la première (4) et la seconde électrode principale, et en ce que le rapport entre la largeur (A1) du segment (1) et un intervalle (B1) entre des segments est déterminé.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)