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1. (WO2001001478) COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/001478 International Application No.: PCT/CH2000/000339
Publication Date: 04.01.2001 International Filing Date: 22.06.2000
Chapter 2 Demand Filed: 31.10.2000
IPC:
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/485 (2006.01)
Applicants: RAMM, Jürgen[DE/CH]; CH (UsOnly)
UNAXIS BALZERS AKTIENGELLSCHAFT[LI/LI]; FL-9496 Balzers, LI (AllExceptUS)
Inventors: RAMM, Jürgen; CH
Agent: TROESCH SCHEIDEGGER WERNER AG; Schwäntenmos 14 CH-8126 Zürich, CH
Priority Data:
1197/9928.06.1999CH
Title (EN) COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSANT ET SON PROCEDE DE REALISATION
(DE) BAUTEIL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Abstract: front page image
(EN) A substrate (1) is provided with a mainly copper layer (2). A wire (3) is joined to the copper layer (2) by means of bonding and by formation of an intermetallic compound, whereby a hard layer (5) which is applied to the mainly copper layer (2) is broken up in the bond area. The hard layer is stable at a temperature of at least 80 °C. At this temperature said layer acts as an oxygen diffusion barrier, acting upon aluminium in a manner similar to an aluminium oxide layer which is formed in a normal environment.
(FR) La présente invention concerne un substrat (1) recouvert d'une couche principalement constituée de cuivre (2). Un fil (3) est relié à la couche de cuivre (2) par métallisation et formation d'une liaison intermétallique. Une couche dure (5) recouvrant la couche principalement constituée de cuivre (2) est transpercée au niveau de la métallisation. La couche dure qui est stable à une température d'au moins 80 °C sert, à cette température, de barrière à diffusion d'oxygène et a une action sur l'aluminium similaire à celle d'une couche d'oxyde d'aluminium se formant dans un environnment normal.
(DE) Ein Substrat (1) ist mit einer überwiegend aus Kupfer bestehenden Schicht (2) versehen. Ein durch Bonden und Bilden einer intermetallischen Verbindung mit der Kupferschicht (2) verbundener Draht (3) ist vorgesehen. Dabei ist eine auf der überwiegend aus Kupfer bestehenden Schicht (2) aufgebrachte Hartschicht (5) im Bondbereich aufgebrochen. Die Hartschicht, die bei einer Temperatur von mindestens 80 °C stabil ist, wirkt bei dieser Temperatur als Sauerstoff-Diffusionsbarriere und wirkt genähert wie eine an Normalumgebung sich bildende Aluminiumoxidschicht auf Aluminium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)