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1. (WO2001001467) METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING FINE PARTICLE DUST IN PLASMA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/001467 International Application No.: PCT/JP1999/003501
Publication Date: 04.01.2001 International Filing Date: 29.06.1999
Chapter 2 Demand Filed: 26.01.2001
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: SATO, Noriyoshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
IIZUKA, Satoru[JP/JP]; JP (UsOnly)
UCHIDA, Giichiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD.[JP/JP]; 468, Aza Aoba Aramaki Aoba-ku Sendai-shi Miyagi 980-0845, JP (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, KR, LU, MC, NL, PT, SE)
Inventors: SATO, Noriyoshi; JP
IIZUKA, Satoru; JP
UCHIDA, Giichiro; JP
Agent: SHIGENOBU, Kazuo ; 3F, Dainichikojimachi Building 6-8, Kojimachi 4-chome Chiyoda-ku Tokyo 102-0083, JP
Priority Data:
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING FINE PARTICLE DUST IN PLASMA
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE LA POUSSIERE DE PARTICULES FINES INDESIRABLES DANS UN PLASMA
Abstract: front page image
(EN) A method for processing fine particle dust in a plasma created in a high-vacuum chamber in which a substrate to be processed is placed and into which a reactive substance is introduced adequately so as to process the substrate, wherein at least one collecting electrode is provided around the substrate in the chamber in addition to the electrode for creating the plasma, a predetermined DC or AC potential is adequately applied to the collecting electrode, and thereby fine particles in the plasma are efficiently removed, and whereby problems such as deposition on the inner wall of the chamber and degradation of processing precision and film quality due to entrance of fine particles are solved.
(FR) L'invention porte sur un procédé et appareil de traitement de la poussière de particules fines indésirables dans un plasma créé dans une chambre à vide poussé où est placé un substrat à traiter et dans laquelle on a introduit une substance réactive en quantité voulue pour traiter le substrat. Le procédé consiste à placer dans la chambre et autour du substrat une électrode de recueil, s'ajoutant à l'électrode servant à créer le plasma, à laquelle on applique idoinement un potentiel c.c. ou a.c. prédéterminé, ce qui a pour effet d'éliminer efficacement du plasma les particules fines et de résoudre les problèmes dus à la présence desdites particules, tels que les dépôts sur les parois intérieures de la chambre, la dégradation de la précision du traitement, et la qualité du film.
Designated States: JP, KR, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)