WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001001466) OXIDATION OF SILICON ON GERMANIUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/001466    International Application No.:    PCT/US2000/017496
Publication Date: 04.01.2001 International Filing Date: 23.06.2000
Chapter 2 Demand Filed:    24.01.2001    
IPC:
C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventors: LUAN, Hsin-Chiao; (US).
KIMERLING, Lionel, C.; (US)
Agent: LOBER, Theresa, A.; T. A. Lober Patent Services, 45 Walden Street, Concord, MA 01742 (US)
Priority Data:
60/141,142 25.06.1999 US
Title (EN) OXIDATION OF SILICON ON GERMANIUM
(FR) OXYDATION DU SILICIUM SUR DU GERMANIUM
Abstract: front page image
(EN)The invention provides processes for producing a high-quality silicon dioxide layer on a germanium layer. In one example process, a layer of silicon is deposited on the germanium layer, and the silicon layer is exposed to dry oxygen gas at a temperature that is sufficient to induce oxidation of the silicon layer substantially only by thermal energy. In a further example process, the silicon layer is exposed to water vapor at a temperature that is sufficient to induce oxidation of the silicon layer substantially only by thermal energy. It can be preferred that the exposure to dry oxygen gas or to water vapor be carried out in an oxidation chamber at a chamber pressure that is no less than ambient pressure. In one example, the chamber pressure is above about 2 atm. The temperature at which the silicon layer is exposed to the dry oxygen gas is preferably above about 500 °C, more preferably above about 600 °C, even more preferably above about 700 °C, and most preferably above about 800 °C.
(FR)L'invention concerne des procédés de production d'une couche de dioxyde de silicium sur une couche de germanium. Dans un processus exemplaire, une couche de silicium est déposée sur la couche de germanium, et la couche de silicium est exposée à du gaz d'oxygène sec à une température suffisant à induire l'oxydation de la couche de silicium pratiquement uniquement par énergie thermique. Dans un autre processus exemplaire, la couche de silicium est exposée à la vapeur d'eau à une température suffisant à induire l'oxydation de la couche de silicium pratiquement uniquement par énergie thermique. De préférence, l'exposition au gaz d'oxygène sec ou à la vapeur d'eau peut s'effectuer dans une chambre d'oxydation à une pression de chambre qui est inférieure à la pression ambiante. Dans un exemple, la pression de la chambre est supérieur à 2 atm. La température à laquelle la couche de silicium est exposée au gaz d'oxygène sec est de préférence supérieure à 500 °C, et il est préférable qu'elle soit supérieure à 600 °C, et même plus préférable qu'elle soit supérieure à environ 700 °C, et encore plus préférable qu'elle soit supérieure à environ 800 °C.
Designated States: DE.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)