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1. (WO2001001418) SEMICONDUCTOR MEMORY CHIP MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/001418    International Application No.:    PCT/EP2000/005625
Publication Date: 04.01.2001 International Filing Date: 19.06.2000
Chapter 2 Demand Filed:    08.12.2000    
IPC:
G06K 19/073 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: GIESECKE & DEVRIENT GMBH [DE/DE]; Prinzregentenstrasse 159, D-81677 München (DE) (For All Designated States Except US).
GRASSL, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GRASSL, Thomas; (DE)
Agent: KLUNKER, SCHMITT-NILSON, HIRSCH; Winzererstrasse 106, D-80797 München (DE)
Priority Data:
199 28 733.3 23.06.1999 DE
Title (DE) HALBLEITERSPEICHER-CHIPMODUL
(EN) SEMICONDUCTOR MEMORY CHIP MODULE
(FR) MODULE MICROPLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE
Abstract: front page image
(DE)In einem Halbleiterspeicher-Chipmodul (2') für eine Chipkarte sind ein nicht-flüchtiger Speicherchip (EEPROM) (4) und ein flüchtiger Speicherchip (SRAM) (6) übereinandergestapelt und über Vertikal-Zwischenchipverbindungen (16) direkt gekoppelt. Der flüchtige Speicher mit schnellem Zugriff ermöglicht das rasche Abarbeiten von Programmen. Das dauerhafte und sichere Speichern von Daten erfolgt durch Umladen der Daten in den nicht-flüchtigen Speicher. In einer weiteren Ebene kann ein Chip (8) mit Dekoderschaltungen enthalten sein. Ebenfalls in einen Chip integriert ist ein Pufferkondensator (20), der im Betrieb ständig auf eine konstante Versorgungsspannung nachgeladen wird.
(EN)The invention relates to a semiconductor memory chip module (2') for a chip card, in which a non-volatile memory chip (EEPROM) (4) and a volatile memory chip (SRAM) (6) are stacked on top of each other and directly coupled with each other by vertical intermediate chip connections (16). The volatile memory with quick access enables programmes to be processed rapidly. Data can be stored permanently and securely through transfer to the non-volatile memory. A chip (8) with decoding circuits can be contained at a further level. A buffer capacitor (20) is also incorporated in a chip and is recharged to a constant supply voltage during operation.
(FR)Dans un module microplaquette semiconductrice (2') destiné à une carte à puce, une puce mémoire non volatile (EEPROM) (4) et une puce mémoire volatile (SRAM) (6) sont empilées l'une sur l'autre et directement couplées par des interconnexions verticales (16). La mémoire volatile à accès rapide permet l'exécution rapide de programmes. La mémorisation durable et sûre de données s'effectue par transfert des données dans la mémoire non volatile. Une puce (8) peut contenir à un autre niveau des circuits décodeurs. De même, une puce (8) peut intégrer un condensateur tampon (20) qui, en service, est constamment rechargé à une tension d'alimentation constante.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)