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1. (WO2001001161) FERROELECTRIC FILM PROPERTY MEASURING DEVICE, MEASURING METHOD THEREFOR AND MEASURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY UNITS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/001161    International Application No.:    PCT/JP2000/004128
Publication Date: 04.01.2001 International Filing Date: 23.06.2000
IPC:
G11C 29/50 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (For All Designated States Except US).
GRUVERMAN, Alexei [RU/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: GRUVERMAN, Alexei; (JP)
Agent: SATOH, Takahisa; Sohshin International Patent Office, 4F Miyaki Bldg., 4-2, Yanagibashi 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0052 (JP)
Priority Data:
11/178238 24.06.1999 JP
Title (EN) FERROELECTRIC FILM PROPERTY MEASURING DEVICE, MEASURING METHOD THEREFOR AND MEASURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY UNITS
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE D'UN FILM FERROELECTRIQUE, ET PROCEDE DE MESURE DE MEMOIRES A SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A ferroelectric film measuring device and a measuring method therefor, which are capable of measuring the transient current with high accuracy produced during the polarization reversal of a ferroelectric capacitor having a very small capacity. A pulse producer (10) produces a pulse signal, which is applied to the upper electrode (62) of a ferroelectric capacitor through a transmission line and a tip (50). The output current (iFE) from a lower electrode (64) produced at pulse application is converted into a voltage (V1) by a resistance element (30), amplified by a preamplifier (40), and delivered, the current (iFE) being measured on the basis of the output voltage (V0). A pulse having negative and positive amplitudes is applied to the upper electrode (62) continuously twice each time and the output current produced at each pulse application is measured. And the difference between the currents corresponding to the first and second pulses is found, thereby making it possible to eliminate the influences of charge current due to parasitic capacity such as in the transmission line, to extract only the polarization current due to polarization reversal of the ferroelectric substance, and to measure the properties of the ferroelectric film with high accuracy.
(FR)L'invention porte sur un procédé et un dispositif de mesure d'un film ferroélectrique permettant de mesurer avec une haute précision le courant transitoire généré durant l'inversion de polarisation d'un condensateur ferroélectrique de très faible capacité. Un générateur (10) d'impulsions génère un signal impulsionnel qui est appliqué sur l'électrode supérieure (62) d'un condensateur ferroélectrique par une ligne de transmission et un conducteur de pointe (50). Le courant de sortie (iFE) provenant d'une électrode (64) inférieure et généré au niveau d'une application d'impulsion est converti en une tension (V1) par un élément résistant (30), amplifié par un préamplificateur (40), et acheminé, le courant (iFE) étant mesuré sur la base de la tension de sortie (V0). Une double impulsion à amplitudes négative et positive est appliquée en continu sur l'électrode (62) supérieure et le courant de sortie généré à chaque impulsion est alors mesuré. On obtient alors la différence de courants entre les première et seconde impulsions, ce qui permet d'éliminer les influences du courant de charge dues à la capacité parasite telle que celle de la ligne de transmission en vue d'extraire uniquement le courant de polarisation dû à l'inversion de polarisation de la substance ferroélectrique et de mesurer avec une haute précision les propriétés du film ferroélectrique.
Designated States: JP, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)