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1. (WO2001001069) METHOD AND DEVICE FOR MEASURING THE THICKNESS OF A LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/001069    International Application No.:    PCT/DE2000/001840
Publication Date: 04.01.2001 International Filing Date: 02.06.2000
Chapter 2 Demand Filed:    11.01.2001    
IPC:
G01B 11/06 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstr. 54, D-80636 München (DE) (For All Designated States Except US).
WALLER, Reinhold [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHNUPP, Ralf [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: WALLER, Reinhold; (DE).
SCHNUPP, Ralf; (DE)
Agent: GAGEL, Roland; Landsberger Str. 480a, D-81241 München (DE)
Priority Data:
199 29 493.3 28.06.1999 DE
199 33 316.5 16.07.1999 DE
Title (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR MESSUNG DER SCHICHTDICKE
(EN) METHOD AND DEVICE FOR MEASURING THE THICKNESS OF A LAYER
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR MESURER UNE EPAISSEUR DE COUCHE
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung der Schichtdicke auf einem Objekt während eines Schichtabscheideprozesses sowie eine Vorrichtung, mit der das Verfahren durchgeführt werden kann. Bei dem Verfahren wird ein Beugungsobjekt (3), das zumindest zwei sich gegenüberliegende beugende Begrenzungen in bekanntem Abstand aufweist, so angeordnet, dass an den beugenden Begrenzungen des Beugungsobjektes (3) eine Schicht abgeschieden oder adsorbiert wird, deren Schichtdicke in bekannter Relation zur Schichtdicke auf dem Objekt steht. Die beugenden Begrenzungen des Beugungsobjektes (3) werden mit einem kohärenten Lichtbündel (2) auf eine Detektionsfläche abgebildet. Die durch Beugung verursachte örtliche Intensitätsverteilung des Lichtbündels (2) auf der Detektionsfläche wird erfasst und aus der Intensitätsverteilung die Schichtdicke bestimmt. Mit dem erfindungsgemässen Verfahren lässt sich die Dicke von dünnen Schichten während der Schichtabscheidung unabhängig von den Materialparametern mit hoher Genauigkeit erfassen.
(EN)The invention relates to a method for measuring the thickness of a layer on an object, during a deposition process and to a device which is used to carry out said method. In said method, a diffraction object (3) which has at least two diffracting limits that lie opposite each other at a known distance, is positioned in such a way that a layer is deposited or adsorbed onto the diffracting limits of the diffraction object (3). The thickness of this layer bears a known relation to the thickness of the layer of the object. The diffracting limits of the diffraction object (3) are projected onto a detection surface using a coherent light bundle (2). The local intensity distribution of the light bundle (2) on the detection surface, caused by diffraction is detected and the thickness of the layer is calculated from said intensity distribution. The inventive method enables the thickness of thin layers to be detected during their deposition with a high degree of accuracy, independently of the material parameters.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de mesurer l'épaisseur d'une couche sur un objet au cours d'un processus de dépôt de couche, ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. Selon ledit procédé, un objet à diffraction (3), qui présente au moins deux limites diffractives superposées et se trouvant à une certaine distance l'une de l'autre, est disposé de telle sorte que sur ses limites diffractives, une couche est déposée ou adsorbée en fonction d'un rapport connu à l'épaisseur de couche de l'objet. Les limites diffractives de l'objet à diffraction (3) forment, avec un faisceau de lumière cohérent (2) une image sur une surface de détection. La répartition d'intensité locale du faisceau lumineux (2) due à la diffraction, sur la surface de détection, est mesurée, et, à partir de cette répartition d'intensité, l'épaisseur de couche est déterminée. Avec le procédé selon l'invention il est possible de mesurer l'épaisseur de couches minces pendant leur dépôt, avec une grande exactitude, indépendamment des paramètres de matériau.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)