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1. (WO2001000892) HIGH DENSITY TUNGSTEN MATERIAL SINTERED AT LOW TEMPERATURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/000892    International Application No.:    PCT/FR2000/001656
Publication Date: 04.01.2001 International Filing Date: 15.06.2000
Chapter 2 Demand Filed:    03.01.2001    
IPC:
B22F 3/10 (2006.01), C22C 1/04 (2006.01), C22C 27/04 (2006.01), F27B 14/10 (2006.01), F27D 1/00 (2006.01)
Applicants: CIME BOCUZE [FR/FR]; Saint Pierre en Faucigny, F-74807 La Roche sur Foron (FR).
NICOLAS, Guy [FR/FR]; (FR).
MAHOT, Pascal [FR/FR]; (FR).
VOLTZ, Marc [FR/FR]; (FR)
Inventors: NICOLAS, Guy; (FR).
MAHOT, Pascal; (FR).
VOLTZ, Marc; (FR)
Agent: CELANIE, Christian; Cabinet Célanie, 13, route de la Minière, BP 214, F-78002 Versailles Cedex (FR)
Priority Data:
99/08186 25.06.1999 FR
Title (EN) HIGH DENSITY TUNGSTEN MATERIAL SINTERED AT LOW TEMPERATURE
(FR) MATERIAU TUNGSTENE A HAUTE DENSITE FRITTE A BASSE TEMPERATURE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a tungsten-based sintered material, with relative mean density higher than 93 % and HV0.3 hardness $m(G) 400. It comprises: tungsten having a purity higher than 99.9 %, an additive consisting of nickel and/or cobalt powder in a mass percentage not more than 0.08 %, an average particle size of tungsten grains of equiaxial shape ranging between 2 and 40 $g(m)m and uniformly distributed for a given average size; and uniformly distributed residual porosity with less than 85 % of the population of pores having a unit volume less than 4 $g(m)m3.
(FR)L'invention concerne un matériau fritté à base de tungstène, de densité moyenne relative supérieure à 93 % et de dureté HV0,3 $m(G) 400. Il comprend: du tungstène ayant une pureté supérieure à 99,9 %; un additif constitué de poudre de nickel et/ou de cobalt selon un pourcentage en masse inférieure ou égal à 0,08 %; une taille moyenne des grains de tungstène de forme équiaxe comprise entre 2 et 40 $g(m)m et uniformément répartie pour une taille moyenne donnée; et des porosités résiduelles uniformément réparties avec au moins 85 % de la population de ces porosités ayant un volume unitaire inférieur à 4 $g(m)m3.
Designated States: AU, BR, CA, CN, CZ, HR, HU, IL, IN, JP, KR, PL, RU, SK, TR, UA, UZ, ZA.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)