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1. (WO2000064025) PROTECTIVE CIRCUIT FOR PROTECTING ACTIVE COMPONENTS FROM OVER- OR UNDERVOLTAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

IA Considered Withdrawn 2000-10-02 00:00:00.0


Pub. No.:    WO/2000/064025    International Application No.:    PCT/EP2000/002922
Publication Date: 26.10.2000 International Filing Date: 01.04.2000
IPC:
H02H 3/20 (2006.01), H03F 1/52 (2006.01)
Applicants: MOELLER GMBH [DE/DE]; Hein-Moeller-Strasse 7-11, D-53115 Bonn (DE) (For All Designated States Except US).
CULCA, Horea-Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: CULCA, Horea-Stefan; (DE)
Common
Representative:
MOELLER GMBH; Hein-Moeller-Strasse 7-11, D-53115 Bonn (DE)
Priority Data:
199 16 685.4 14.04.1999 DE
Title (DE) SCHUTZSCHALTUNG FÜR AKTIVE BAUELEMENTE GEGEN ÜBER- BZW. UNTERSPANNUNG
(EN) PROTECTIVE CIRCUIT FOR PROTECTING ACTIVE COMPONENTS FROM OVER- OR UNDERVOLTAGE
(FR) CIRCUIT PROTECTEUR POUR COMPOSANTS ACTIFS CONTRE LES SURTENSIONS OU SOUS-TENSIONS
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für aktive Bauelemente gegen Über- bzw. Unterspannung, bestehend aus einem vor dem zu schützenden Bauelementeeingang (E1) seriell angeordneten Begrenzungswiderstand (Ri) sowie jeweils einer zwischen dem Verbindungspunkt (P3) von Begrenzungswiderstand (Ri) und Bauelementeeingang (E1) einerseits und den Versorgungspotenzialen (Vdd; Vss) anderseits in Sperrrichtung angeordneten Schutzdiode (Di1; Di2). Zwischen den Versorgungspotenzialen (Vdd; Vss) ist eine Reihenschaltung aus einem Reihenwiderstand (R1) und jeweils einer Referenzdiode (D1; D2) angeordnet. Die Referenzdiode (D1; D2) ist in Durchlassrichtung zwischen Versorgungspotenzial (Vdd; Vss) und Reihenwiderstand (R1) angeordnet. Der Widerstandswert des Reihenwiderstandes (R1) ist wesentlich kleiner als derjenige des Begrenzungswiderstandes (Ri). Mit dem Verbindungspunkt (P1; P2) von Reihenwiderstand (R1) und Referenzdiode (D1; D2) ist die Schutzdiode (Di1; Di2) mit ihrer vom Begrenzungswiderstand (Ri) entfernten Elektrode verbunden.
(EN)The invention relates to a protective circuit for protecting active components from over- or undervoltage. Said protective circuit consists of a limiting resistor (Ri) that is connected in series upstream of the input (E1) of the component to be protected. The protective circuit further comprises a respective protective diode (Di1; Di2) that is arranged in the direction of blockage between the junction (P3) of the limiting resistor (Ri) and the input (E1) of the component on the one hand and the power supply potentials (Vdd; Vss) on the other hand. A serial resistor (R1) and a respective reference diode (Di1; Di2) are mounted in series between the power supply potentials (Vdd; Vss). Said reference diode (D1; D2) is arranged in the direction of passage between the supply potential (Vdd; Vss) and the serial resistor (R1). The value of resistance of the serial resistor (R1) is substantially smaller than that of the limiting resistor (Ri). The protective diode (Di1; Di2) is connected to the junction (P1; P2) of the serial resistor (R1) and the reference diode (D1; D2) with its electrode facing away from the limiting resistor (Ri).
(FR)Circuit protecteur pour composants actifs contre les surtensions ou sous-tensions, qui comporte une résistance de limitation (Ri) placée en série avant l'entrée (E1) du composant à protéger, ainsi qu'une diode de protection (Di1; Di2) placée dans le sens de non-conduction entre le point de liaison (P3) entre la résistance de limitation (Ri) et l'entrée (E1) du composant d'une part et les potentiels d'alimentation (Vdd; Vss) d'autre part. Une résistance en série (R1) et deux diodes de référence (D1; D2) sont montées en série entre les potentiels d'alimentation (Vdd; Vss). La diode de référence (D1; D2) est montée dans le sens de conduction entre le potentiel de référence (Vdd; Vss) et la résistance en série (R1). La valeur de résistance de la résistance en série (R1) est considérablement inférieure à celle de la résistance de limitation (Ri). La diode de protection (Di1; Di2) est reliée à son électrode éloignée de la résistance de limitation (Ri) par l'intermédiaire du point de liaison (P1; P2) entre la résistance en série (R1) et la diode de référence (D1; D2).
Designated States: AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)