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1. (WO2000063966) METHOD FOR PLANARIZED DEPOSITION OF A MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/063966    International Application No.:    PCT/US2000/008676
Publication Date: 26.10.2000 International Filing Date: 30.03.2000
Chapter 2 Demand Filed:    11.10.2000    
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: CVC PRODUCTS, INC. [US/US]; 3100 Laurelview Court, Building H, Fremont, CA 74538 (US)
Inventors: MOSLEHI, Mehrdad, M.; (US)
Agent: HOLLAND, Robert, W.; Baker Botts, L.L.P., 2001 Ross Avenue, Dallas, TX 75201-2980 (US)
Priority Data:
09/285,162 01.04.1999 US
Title (EN) METHOD FOR PLANARIZED DEPOSITION OF A MATERIAL
(FR) PROCEDE DE DEPOT PLANARISE D'UN MATERIAU
Abstract: front page image
(EN)A method for selective deposition of a material, such as copper, to form planarized inlaid device interconnect structures. Once a formation is filled with metallization material, deposition is automatically ceased in situ to form a globally planarized interconnect structure. In one embodiment, a blocking agent layer inhibits material nucleation and deposition at the substrate surface plane until the formation is filled, and then flows over the filled inlaid metallization structure to cease further material deposition and to form a planarized surface without a need for chemical-mechanical polishing. In another embodiment, an enhancement agent is provided within formations to reduce material nucleation time, resulting in selective deposition of the material proximate to the enhancement agent layer within trenches and holes. A nucleation suppressing agent can be included in the deposition ambient to increase nucleation delay and to suppress material deposition over the patterned field regions and on the formation sidewalls.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt sélectif d'un matériau, notamment du cuivre, de manière à obtenir des structures d'interconnexion planariséesà dispositifs intégrés. Une fois la filière remplie de matériau de métallisation, on interrompt automatiquement le dépôt in situ pour former une structure d'interconnexion globalement planarisée. Selon un mode de réalisation, une couche d'agent de blocage inhibe la nucléation de matériau et le dépôt sur le plan de la surface du substrat jusqu'à ce que la filière soit remplie, puis s'écoule sur la structure de métallisation intégrée et remplie pour mettre un terme au dépôt de matériau et pour obtenir une surface planarisée sans avoir à effectuer un polissage chimicomécanique. Selon un autre mode de réalisation, un agent d'amélioration sert à réduire la durée de nucléation du matériau, ce qui se traduit par un dépôt sélectif du matériau à proximité de la couche d'agent d'amélioration dans les tranchées et les trous. Un agent de suppression du dépôt peut être inclus dans la zone de dépôt de manière à augmenter le délai de nucléation et à supprimer le dépôt de matériau sur les zones à motifs et sur les parois latérales de la filière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)