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1. (WO2000063459) METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITION OF DIAMOND LIKE CARBON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/063459    International Application No.:    PCT/US2000/010304
Publication Date: 26.10.2000 International Filing Date: 17.04.2000
Chapter 2 Demand Filed:    14.11.2000    
IPC:
C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/22 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01), H01J 27/08 (2006.01)
Applicants: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC. [US/US]; 1625 Sharp Point Drive, Fort Collins, CO 80525 (US) (For All Designated States Except US).
AMANN, Michael, S. [US/US]; (US) (For US Only).
KISHINEVSKY, Michael [US/US]; (US) (For US Only).
SHABALIN, Andrew [RU/US]; (US) (For US Only).
QUINN, Colin [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: AMANN, Michael, S.; (US).
KISHINEVSKY, Michael; (US).
SHABALIN, Andrew; (US).
QUINN, Colin; (US)
Agent: SANTANGELO, Luke; Santangelo Law Offices, P.C., Third floor, 125 South Howes, Fort Collins, CO 80521 (US)
Priority Data:
60/129,850 17.04.1999 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITION OF DIAMOND LIKE CARBON
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT CDA
Abstract: front page image
(EN)Systems to achieve both more uniform and particle free DLC deposition is disclosed which automatically cycles between modes to effect automatic removal of carbon-based buildups or which provides barriers to achieve proper gas flow involves differing circuitry and design parameter options. One ion source (2) may be used in two different modes whether for DLC deposition or not through automatic control of gas flow types and rates and through the control of the power application element (8) to achieve maximum throughput or other desired processing goals. Arcing can be controlled and even permitted to optimize the overall results achieved.
(FR)L'invention concerne des systèmes permettant de réaliser des dépôts CDA à la fois uniformes et exempts de particules, qui se recyclent automatiquement entre les modes de manière à éliminer automatiquement toute accumulation à base de carbone ou qui constituent des barrières permettant d'obtenir un écoulement gazeux convenable et qui impliquent des choix de paramètres relatifs à la conception et aux différents circuits. A cet effet, on peut utiliser une source (2) d'ions de deux modes différents, soit pour le dépôt CDA et non pas par régulation automatique des types et des vitesses d'écoulement gazeux soit par régulation de l'élément (8) d'application d'énergie afin d'obtenir un rendement maximum ou d'autres objectifs de traitement voulus. La formation d'un arc peut être contrôlée voire autorisée, de manière à optimiser les résultats d'ensemble obtenus.
Designated States: JP, KR, RU, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)