WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2000062343) SOI WAFER AND METHOD FOR PRODUCING SOI WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/062343    International Application No.:    PCT/JP2000/002074
Publication Date: 19.10.2000 International Filing Date: 31.03.2000
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
FURIHATA, Jun-ichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MITANI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Norihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIYAMA, Shoji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FURIHATA, Jun-ichiro; (JP).
MITANI, Kiyoshi; (JP).
KOBAYASHI, Norihiro; (JP).
AKIYAMA, Shoji; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Building 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Priority Data:
11/102698 09.04.1999 JP
Title (EN) SOI WAFER AND METHOD FOR PRODUCING SOI WAFER
(FR) PLAQUETTE A SILICIUM SUR ISOLANT ET PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTE A SILICIUM SUR ISOLANT
Abstract: front page image
(EN)A high-quality SOI wafer having a roughness of the surface of an SOI layer of the SOI wafer is 0.12 nm or less in terms of RMS value and/or a roughness of the interface between the SOI layer and a burried oxide film is 0.12 nm or less in terms of RMS value. A method for producing such an SOI wafer in which an SOI wafer is mirror-polished, the natural oxide film on the SOI wafer is removed or a thermal oxide film having a thickness of 300 nm or more is formed on the surface and then the thermal oxide film is removed, and the wafer is subjected to a heat-treatment in 100% hydrogen gas, or in a mixture gas atmosphere of argon and/or nitrogen containing 10% or more of hydrogen by means of a rapid-heating/rapid-cooling device. Excellent roughnesses of the surface of the SOI layer and the SOI/BOX interface are realized hardly influencing the variations of the device characteristics such as the oxide film breakdown voltage, and the threshold voltage, the carrier mobility of a MOS device produced using such an SOI wafer.
(FR)L'invention concerne une plaquette à silicium sur isolant de haute qualité présentant une rugosité de surface d'une couche de silicium sur isolant inférieure ou égale à 0,12 nm en termes de valeur quadratique moyenne et/ou une rugosité de l'interface entre la couche de silicium sur isolant et un film d'oxyde noyé inférieure ou égale à 0,12 nm en termes de valeur quadratique moyenne. Un procédé de production de la plaquette à silicium sur isolant dans lequel la plaquette à silicium sur isolant présente un poli optique consiste à enlever le film d'oxyde naturel sur la plaquette à silicium sur isolant ou à former à sa surface un film d'oxyde thermique possédant une épaisseur supérieure ou égale à 300 nm, puis à enlever le film d'oxyde thermique et à soumettre la plaquette à un traitement thermique dans un gaz hydrogène à 100 % ou dans une atmosphère gazeuse mixte d'argon et/ou d'azote contenant une quantité d'hydrogène supérieure ou égale à 10 %, avec un dispositif à chauffage rapide/refroidissement rapide. On obtient ainsi une excellente rugosité de la surface de la couche de silicium sur isolant et de l'interface silicium sur isolant/film d'oxyde noyé tout en influant à peine sur les variations des caractéristiques du dispositif telles que la tension de claquage du film d'oxyde ainsi que la tension de seuil et la mobilité de porteur de charge d'un dispositif MOS produit avec cette plaquette à silicium sur isolant.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)