WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2000062046) THIN-FILM SEMICONDUCTOR GAS SENSOR AND METHOD OF DETECTING GASES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2000/062046    International Application No.:    PCT/DE2000/001106
Publication Date: 19.10.2000 International Filing Date: 11.04.2000
IPC:
G01N 27/12 (2006.01), G01N 33/00 (2006.01)
Applicants: DAIMLERCHRYSLER AG [DE/DE]; Epplestrasse 225, D-70567 München (DE) (For All Designated States Except US).
MÜLLER, Gerhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BECKER, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MÜLLER, Gerhard; (DE).
BECKER, Thomas; (DE)
Priority Data:
199 16 798.2 14.04.1999 DE
Title (DE) DÜNNSCHICHT-HALBLEITER-GASSENSOR UND VERFAHREN ZUM NACHWEIS VON GASEN
(EN) THIN-FILM SEMICONDUCTOR GAS SENSOR AND METHOD OF DETECTING GASES
(FR) CAPTEUR DE GAZ A SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE, ET PROCEDE DE DETECTION DE GAZ
Abstract: front page image
(DE)Ein Dünnschicht-Halbleiter-Gassensor hat eine sensitive Schicht (1), deren elektrische Leitfähigkeit durch Kontakt bzw. Beaufschlagung mit einem Gas veränderbar ist. Durch Elektroden (2) wird die elektrische Leitfähigkeit der sensitiven Schicht (1) gemessen, um Gase nachzuweisen bzw. Gaskonzentrationen zu ermitteln. Eine poröse bzw. mit durchgehenden Löchern versehene, beheizbare Siliziummembran (3) ist der sensitiven Schicht (1) vorgeschaltet bzw. oberhalb der sensitiven Schicht (1) angeordnet. In der Siliziummembran (3) werden bestimmte Gasmoleküle chemisch bzw. katalytisch umgesetzt oder zu höheren Schwingungszuständen angeregt, bevor das Gas mit der sensitiven Schicht (1) in Kontakt gerät. Dadurch wird das Problem der Empfindlichkeitsverschiebung bei Sensoren mit dünnen gassensitiven Schichten überwunden. Moleküle, die mit dünnen sensitiven Schichten besonders stark oder besonders schwach reagieren, werden in solche umgewandelt, die eine nur geringe Reaktion bzw. eine verstärkte Reaktion an der sensitiven Schicht (1) hervorrufen.
(EN)The invention relates to a thin-film semiconductor gas sensor comprising a sensitive layer (1) whose electric conductivity can be modified by contact with or impingement by a gas. The electric conductivity of the sensitive layer (1) is measured by electrodes (2) so as to detect gases or determine gas concentrations. A heatable silicon membrane (3) which is porous or provided with through holes is positioned upstream of the sensitive layer (1) or arranged above said sensitive layer (1). In the silicon membrane (3) certain gas molecules undergo a chemical or catalytic reaction or are excited to higher vibrational states before the gas is brought into contact with the sensitive layer (1). This overcomes the problem of sensitivity shifts which occur in sensors with thin gas-sensitive layers. Molecules which react especially strongly or weakly with thin sensitive layers are converted into molecules which, respectively, react more weakly or strongly on the sensitive layer (1).
(FR)L'invention concerne un capteur de gaz à semi-conducteur en couche mince qui comporte une couche sensible (1) dont la conductivité se modifie lorsqu'elle est en contact avec un gaz ou soumise à l'action de celui-ci. Au moyen d'électrodes (2), la conductivité de la couche sensible (1) est mesurée, ce qui permet de détecter des gaz ou de déterminer des concentrations de gaz. Une membrane de silicium (3) poreuse ou pourvue de trous traversants, pouvant être chauffée, est montée en amont de la couche sensible (1) ou placée au-dessus de celle-ci. Dans la membrane de silicium (3) certaines molécules de gaz sont transformées chimiquement ou catalytiquement ou bien mises dans des états de vibration supérieurs avant que le gaz entre en contact avec la couche sensible (1). Ainsi le problème du décalage de la sensibilité dans les capteurs comportant des couches minces sensibles au gaz est résolu. Les molécules qui réagissent de façon particulièrement forte ou particulièrement faible avec les couches sensibles minces sont transformées en molécules qui n'entraînent qu'une faible réaction ou une réaction renforcée au niveau de la couche sensible (1).
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)